+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

BYV32E-200.127, Диод Ultrafast, 2х10А, 200В, общий катод TO-220AB

Артикул:1207320
У поставщика
ПроизводительNEX-NXP
У поставщиков
210 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:210 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 139,33
от 1032,94
Описание

Диод Ultrafast BYV32E-200.127 от NEX-NXP — это сдвоенный выпрямитель с общим катодом на 2х10 А и обратным напряжением 200 В. Компонент выполнен в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия и отличается малым временем восстановления. Применяется в импульсных источниках питания, блоках питания и высокочастотных выпрямителях.

Технические характеристики
Типultrafast dual rectifier diode
КорпусSOT78 (TO-220AB)
Тип монтажаTHT
Шаг выводов2.54mm
КорпусTO-220AB
Esd voltage hbm8kV
Package depth max4.7mm
Package width max10.3mm
Dc reverse voltage200V
Макс. высота корпуса16.0mm
Diode configurationdual common cathode
Recovered charge max12.5nC
Recovered charge typ8nC
Макс. темп. перехода150°C
Диап. темп. хр.-40°C to 150°C
Forward recovery voltage max1V
Crest working reverse voltage200V
Forward voltage at 20A 25C max1.15V
Forward voltage at 20A 25C typ1V
Forward voltage at 8A 150C max0.85V
Forward voltage at 8A 150C typ0.72V
Повторяющееся импульсное обратное напряжение200V
Reverse current at 200V 25C max30µA
Reverse current at 200V 100C max0.6mA
Average output current both diodes20A
Reverse recovery time ramp recovery max25ns
Reverse recovery time ramp recovery typ20ns
Reverse recovery time step recovery max20ns
Reverse recovery time step recovery typ10ns
Repetitive peak forward current per diode20A
Repetitive peak reverse current per diode0.2A
Thermal resistance junction to ambient typ60K/W
Non repetitive peak reverse current per diode0.2A
Non repetitive peak forward current per diode 10ms125A
Non repetitive peak forward current per diode 8.3ms137A
Thermal resistance junction to mounting base per diode max2.4K/W
Thermal resistance junction to mounting base both diodes max1.6K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?