Документация
Описание
Транзистор BUZ90 от ISC — это N-канальный MOSFET с изолированным затвором в корпусе TO-220 AB для монтажа в отверстия. Компонент рассчитан на импульсный ток стока до 18 А и рассеиваемую мощность 75 Вт, поддерживает лавинный пробой до 4,5 А. Подходит для импульсных источников питания и силовых ключей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Mode | Enhancement |
| Тип | N-channel MOSFET |
| Вывод 1 | Gate |
| Вывод 2 | Drain |
| Вывод 3 | Source |
| Корпус | TO-220 AB |
| Тип монтажа | THT |
| Технология | SIPMOS |
| Макс. время спада | 90ns |
| Тип. время спада | 70ns |
| Макс. время нарастания | 75ns |
| Тип. время нарастания | 50ns |
| Avalanche rated | Да |
| Лавинный ток | 4.5A |
| Рассеиваемая мощность | 75W |
| Импульсный ток стока | 18A |
| Transconductance min | 2.5S |
| Transconductance typ | 3.8S |
| Входная емкость макс. | 1050pF |
| Тип. входная емкость | 780pF |
| Макс. выходная емкость | 170pF |
| Выходная емкость тип. | 110pF |
| Время вкл. макс. | 30ns |
| Время задержки вкл. тип. | 20ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | 20V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. время выключения | 150ns |
| Время задержки выкл. тип. | 120ns |
| Continuous drain current | 4.5A |
| Макс. напряжение сток-исток | 600V |
| Avalanche energy periodic | 8mJ |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Тип. время восст. | 350ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.1V |
| Тип. пороговое Uзи | 3V |
| Gate source leakage current | 10nA |
| Тип. заряд восст. | 3µC |
| Avalanche energy single pulse | 320mJ |
| Макс. Rси вкл. | 1.6Ω |
| Drain source on resistance typ | 1.5Ω |
| Reverse transfer capacitance max | 70pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 40pF |
| Reverse diode forward voltage max | 1.2V |
| Reverse diode forward voltage typ | 1.1V |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 600V |
| Drain source breakdown voltage typ | 600V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 75K/W |
| Zero gate voltage drain current 25c | 0.1µA |
| Reverse diode pulsed forward current | 18A |
| Thermal resistance junction case max | 1.67K/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 10µA |
| Reverse diode continuous forward current | 4.5A |