Документация
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190 m?
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
3 022 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 022 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 101,53 |
| от 70 | 95,58 |
| от 140 | 91,59 |
| от 280 | 88,07 |
| от 560 | 85,70 |
Описание
Infineon BTS3410G — это силовой N-канальный полевой транзистор с защитой, выполненный по технологии Smart SIPMOS. Работает при напряжении до 42 В и токе до 1,3 А, сопротивление открытого канала — 190 мОм. Компонент выпускается в корпусе PG-DSO-8. Подходит для коммутации нагрузок в автомобильной электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | Low Side Power Switch |
| Корпус | PG-DSO-8 |
| Особенности | Logic Level Input, Input Protection (ESD), Thermal shutdown with auto restart, Overload protection, Short circuit protection, Overvoltage protection, Current limitation, Analog driving possible |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-channel |
| Кол-во выводов | 8 |
| Технология | Smart SIPMOS |
| Применение | Resistive, inductive and capacitive loads, µC compatible power switch for 12V DC, Replaces electromechanical relays and discrete circuits |
| Slew rate on | 0.4V/µs to 1.5V/µs |
| Время включения | 45µs to 100µs |
| Green product | RoHS compliant |
| Slew rate off | 0.6V/µs to 1.5V/µs |
| Время выключения | 60µs to 100µs |
| Esd voltage hbm | 2kV |
| Current limit typ | 7.5A |
| Тепловой гистерезис | 10K |
| Current limit range | 5A to 10A |
| Load dump protection | 50V |
| Power dissipation ta85c | 0.8W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 42V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| On state input current max | 30µA |
| On state input current typ | 10µA |
| Диап. раб. темп. | -40°C to +150°C |
| Input threshold voltage tj25c | 1.3V to 2.2V |
| Continuous input current limit | no limit for V_IN in -0.2V to 10V, otherwise |I_IN| ≤ 2mA |
| Off state drain current max 32v | 10µA |
| Off state drain current typ 32v | 1.5µA |
| Input current protection mode max | 300µA |
| Input current protection mode typ | 50µA |
| Thermal overload trip temperature | 150°C to 175°C |
| Input threshold voltage typ tj150c | 0.8V |
| On state resistance max vin5v tj25c | 240mΩ |
| On state resistance typ vin5v tj25c | 190mΩ |
| Inverse diode forward voltage typ 7a | 1V |
| On state resistance max vin10v tj25c | 200mΩ |
| On state resistance typ vin10v tj25c | 150mΩ |
| On state resistance max vin10v tj150c | 400mΩ |
| On state resistance typ vin10v tj150c | 280mΩ |
| Drain source voltage short circuit max | 18V |
| Unclamped inductive energy per channel | 150mJ |
| Nominal load current both channels ta85c | 1A |
| Nominal load current single channel ta85c | 1.3A |
| Thermal resistance junction ambient both channels 6cm2 | 160K/W |
| Thermal resistance junction ambient single channel 6cm2 | 100K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?