Документация
BTA140-800.127
У поставщика
У поставщиков
8 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 124,76 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 124,76 |
Описание
Тиристор BTA140-800 от WEEN/NXP — мощный ключ для управления нагрузкой переменного тока. Компонент рассчитан на ток до 25 А и напряжение до 800 В, выпускается в стандартном корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Применяется в схемах промышленной автоматики, регуляторах мощности и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT78 (TO-220AB) |
| Тип монтажа | THT |
| Артикул | BTA140-800 |
| Peak gate power | 5 W |
| Peak gate current | 2 A |
| Average gate power | 0.5 W |
| Размеры упаковки | TO-220AB (SOT78) standard through-hole |
| I2t for fusing 10ms | 180 A^2s |
| Current rms on state | 25A |
| Holding current T2plus | 7 to 60 mA |
| Holding current T2minus | 12 to 60 mA |
| Gate trigger voltage 25C | 0.7 to 1 V |
| Макс. темп. перехода | 125 °C |
| Gate trigger voltage 125C | 0.25 to 0.4 V |
| Диап. темп. хр. | -40 to 150 °C |
| On state voltage at 30A 25C | 1.3 to 1.55 V |
| DI dt quadrant T2minus Gplus | 10 A/µs |
| DV dt off state voltage rise | 100 to 300 V/µs |
| Latching current T2plus Gplus | 8 to 40 mA |
| Latching current T2minus Gplus | 15 to 60 mA |
| Latching current T2plus Gminus | 13 to 60 mA |
| Off state current at 800V 125C | 0.1 to 0.5 mA |
| Latching current T2minus Gminus | 18 to 40 mA |
| DV dt commutating voltage typical | 10 V/µs |
| Gate trigger current T2plus Gplus | 6 to 35 mA |
| Voltage repetitive peak off state | 800V |
| Gate trigger current T2minus Gplus | 23 to 70 mA |
| Gate trigger current T2plus Gminus | 10 to 35 mA |
| Gate trigger current T2minus Gminus | 11 to 35 mA |
| Gate controlled turn on time typical | 2 µs |
| Термосопротивление переход-среда | 60 K/W |
| Current non repetitive peak on state 20ms | 190A |
| Current non repetitive peak on state 16 7ms | 209A |
| Thermal resistance junction to mounting base full cycle | 1 K/W |
| Thermal resistance junction to mounting base half cycle | 1.4 K/W |
| DI dt quadrants T2plus Gplus T2plus Gminus T2minus Gminus | 50 A/µs |