
Документация
Симистор 600В 8А 35мА 3Q (бесснабберный)
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
215 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:215 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 81,13 |
| от 10 | 79,45 |
| от 19 | 77,15 |
| от 37 | 73,65 |
| от 100 | 68,85 |
Описание
Симистор BTA08-600CWRG от STMicroelectronics — это мощный бесснабберный (3Q) ключ на 600 В и 8 А с током управления 35 мА. Компонент предназначен для коммутации цепей переменного тока в бытовой и промышленной автоматике. Благодаря технологии Snubberless обеспечивает надёжную работу без внешних RC-цепей, что упрощает конструкцию и повышает помехоустойчивость.
Технические характеристики
| Серия | BTA08, BTB08, T810, T835 |
| Ecopack | Да |
| Корпус | TO-220AB Insulated Tab |
| Тип монтажа | Выводной |
| Значение I²t | 36A²s |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 3 |
| Quadrants | I, II, III |
| Технология | Snubberless |
| Применение | General purpose AC switching, ON/OFF function, static relays, heating regulation, induction motor starting, phase control, light dimmers, motor speed controllers |
| Описание | Snubberless 8A Triac, 600V, 35mA IGT (Q1), 3 Quadrants |
| Артикул | BTA08-600CWRG |
| Epoxy rating | UL94, V0 |
| Insulated tab | Нет |
| Тип компонента | Triac |
| Recommended load | Inductive loads |
| On state rms current | 8A |
| Peak gate current igm | 4A |
| Ul insulation voltage | 2500VRMS |
| Holding current ih max | 35mA |
| Latching current il max | 50mA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Commutation didt dvdt 01 | 5.4A/ms |
| Commutation didt dvdt 10 | 2.98A/ms |
| Dynamic resistance rd max | 50mΩ |
| Threshold voltage vt0 max | 0.85V |
| Triggering gate current q1 | 35mA |
| Gate trigger current igt max | 35mA |
| Gate trigger voltage vgt max | 1.3V |
| Описание (англ.) | TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB |
| Peak on state voltage vtm max | 1.55V |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 600V |
| Commutation didt without snubber | 4.5A/ms |
| Gate non trigger voltage vgd min | 0.2V |
| Repetitive peak off state voltage | 600V |
| Storage junction temperature range | -40 to +150°C |
| Average gate power dissipation pgav | 1W |
| Junction to case thermal resistance | 1.6°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -40 to +125°C |
| Junction to ambient thermal resistance | 60°C/W |
| Off state leakage current idrm max 25c | 5µA |
| Off state leakage current idrm max 125c | 1mA |
| Critical rate of rise on state current didt | 50A/µs |
| Critical rate of rise off state voltage dvdt min | 400V/µs |
| Non repetitive surge peak on state current itsm 50hz | 80A |
| Non repetitive surge peak on state current itsm 60hz | 84A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?