
Документация
Симистор 800В 6А 50мА 3Q (бесснабберный)
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
482 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:482 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 74,85 |
| от 10 | 73,28 |
| от 20 | 71,07 |
| от 50 | 67,74 |
| от 100 | 63,25 |
Описание
Симистор BTA06-800BWRG от STMicroelectronics — бесснабберный ключ для цепей переменного тока. Рассчитан на напряжение до 800 В и ток до 6 А, управляется током 50 мА. Выполнен в изолированном корпусе TO-220AB. Подходит для управления нагрузками в промышленной автоматике и бытовой технике.
Технические характеристики
| Цоколевка | A2, A1, G |
| Серия | BTA06 and BTB06 Series |
| Вес | 2.3g |
| Ecopack | Да |
| Корпус | TO-220AB Insulated Tab |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 3 |
| Quadrants | 3Q (I, II, III) |
| Размеры | A: 15.20 to 15.90 mm; B: 10.00 to 10.40 mm; C: 4.40 to 4.60 mm; F: 6.20 to 6.60 mm; L: 2.65 to 2.95 mm; M: 2.60 mm; E: 2.40 to 2.70 mm; I4: 15.80 to 16.80 mm; A1: 3.75 mm; A2: 13.00 to 14.00 mm; B1: 0.61 to 0.88 mm; B2: 1.23 to 1.32 mm; C1: 0.49 to 0.70 mm; C2: 2.40 to 2.72 mm; L2: 1.14 to 1.70 mm; L3: 1.14 to 1.70 mm; ØI: 3.75 to 3.85 mm |
| Изоляция | Insulated |
| Описание | 6A TRIACS SNUBBERLESS, LOGIC LEVEL & STANDARD |
| Артикул | BTA06-800BWRG |
| Packing mode | трубка |
| Base quantity | 50 |
| Тип компонента | Triac |
| Ном. ток | 6A |
| Ном. напряжение | 800V |
| Sensitivity type | 50mA Snubberless |
| Peak gate current | 4A (tp = 20 µs, Tj = 125°C) |
| Ul file reference | E81734 |
| Holding current max | 50mA (IT = 100mA) |
| I2t value for fusing | 21 A²s (tp = 10 ms) |
| Latching current max | 70mA (I-III, IG = 1.2 IGT), 80mA (II, IG = 1.2 IGT) |
| Rms on state current | 6A |
| Threshold voltage max | 0.85V (Tj = 125°C) |
| Макс. динамическое сопротивление | 60mΩ (Tj = 125°C) |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate trigger current max | 50mA (I-II-III, VD = 12V, RL = 30Ω) |
| Gate trigger voltage max | 1.3V (I-II-III) |
| Peak on state voltage max | 1.55V (ITM = 8.5A, tp = 380µs, Tj = 25°C) |
| Gate trigger current rating | 50mA |
| Reverse leakage current max | 5µA (Tj = 25°C), 1mA (Tj = 125°C) |
| Gate non trigger voltage min | 0.2V (I-II-III, VD = VDRM, RL = 3.3kΩ, Tj = 125°C) |
| Insulated tab voltage rating | 2500 V RMS |
| Описание (англ.) | TRIAC ALTERNISTOR 800V TO220AB |
| Off state leakage current max | 5µA (Tj = 25°C), 1mA (Tj = 125°C) |
| Average gate power dissipation | 1W (Tj = 125°C) |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 800V |
| Rms on state current conditions | full sine wave, Tc = 105°C (TO-220AB Insulated) |
| Repetitive peak off state voltage | 800V |
| Storage junction temperature range | -40 to +150 °C |
| Junction to case thermal resistance | 2.7 °C/W (TO-220AB Insulated, AC) |
| Диапазон темп. перехода | -40 to +125 °C |
| Junction to ambient thermal resistance | 60 °C/W (TO-220AB Insulated) |
| Critical rate of rise of on state current | 50 A/µs (IG = 2 x IGT, tr ≤ 100 ns, F = 120 Hz, Tj = 125°C) |
| Non repetitive surge peak on state current | 60A (F = 50 Hz, t = 20 ms), 63A (F = 60 Hz, t = 16.7 ms) |
| Critical rate of rise of off state voltage min | 1000 V/µs (VD = 67% VDRM, gate open, Tj = 125°C) |
| Critical rate of decrease of on state current min | 5.3 A/ms (without snubber, Tj = 125°C) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?