Документация
Тиристор 600В 0,8А 200мкА (Логический уровень)
У поставщика
ПроизводительWeEn
У поставщиков
2 196 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 196 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 132 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,24 |
| от 202 | 4,74 |
| от 404 | 4,26 |
| от 1 000 | 3,84 |
| от 2 000 | 3,55 |
Описание
Тиристор BT169G,112 от WeEn — это логический SCR на напряжение 600 В и ток до 0,8 А. Компонент выполнен в компактном корпусе TO92-3 и подходит для управления нагрузками с низким током затвора. Применяется в бытовой электронике и схемах промышленной автоматики.
Технические характеристики
| I²t | 0.32A2s |
| I h | 5mA |
| I l | 6mA |
| T j | 125C |
| T q | 100us |
| V t | 1.7V |
| I gm | 1A |
| I gt | 200uA |
| P gm | 2W |
| Контактов | 3 |
| T gt | 2us |
| Тип | logic level thyristor |
| V gm | 5V |
| V gt | 0.8V |
| Di dt | 50A/us |
| Dv dt | 500V/us |
| I tsm | 8A |
| T stg | -40C to +150C |
| V rgm | 5V |
| I t av | 0.5A |
| P g av | 0.1W |
| Цоколевка | 1: anode (a); 2: gate (g); 3: cathode (k) |
| Серия | BT169 |
| I d i r | 0.1mA |
| I h typ | 2mA |
| I l typ | 2mA |
| I t rms | 0.8A |
| Корпус | TO92-3 |
| V t typ | 1.25V |
| I gt typ | 50uA |
| Тип монтажа | Выводной |
| R th j a | 150K/W |
| V gt typ | 0.5V |
| Dv dt typ | 800V/us |
| V gt 125c | 0.3V |
| Размеры | A: 5.0mm to 5.2mm; D: 4.4mm to 4.8mm; E: 3.6mm to 4.2mm; L: 12.7mm to 14.5mm; B: 0.40mm to 0.48mm; C: 0.38mm to 0.45mm; D: 1.4mm to 1.7mm; E: 2.54mm; L1: 2.5mm; A1: 1.5mm; B1: 0.55mm to 0.66mm; E1: 1.27mm |
| I d i r typ | 0.05mA |
| I tsm 8 3ms | 9A |
| R th j lead | 60K/W |
| V drm v rrm | 600V |
| V gt 125c min | 0.2V |
| I2t conditions | t=10ms |
| I h conditions | V_D=12V; I_GT=0.5mA; R_GK=1kOhm |
| I l conditions | V_D=12V; I_GT=0.5mA; R_GK=1kOhm |
| T q conditions | V_D=67% V_DRM(max); T_j=125C; I_TM=1.6A; V_R=35V; dI_TM/dt=30A/us; dV_D/dt=2V/us; R_GK=1kOhm |
| V t conditions | I_T=1.2A |
| Dv dt gate open | 25V/us |
| I gt conditions | V_D=12V; I_T=10mA; gate open circuit |
| T gt conditions | I_TM=2A; V_D=V_DRM(max); I_G=10mA; dI_G/dt=0.1A/us |
| V gt conditions | I_T=10mA; gate open circuit; V_D=12V |
| Di dt conditions | I_T=2A; I_G=10mA; dI_G/dt=100mA/us |
| Dv dt conditions | V_D=67% V_DRM(max); T_j=125C; exponential waveform; R_GK=1kOhm |
| I tsm conditions | t=10ms; half sine wave; T_j=25C prior to surge |
| I t av conditions | half sine wave; T_lead <= 83C |
| P g av conditions | over any 20ms period |
| Epoxy flammability | UL94 V-0 at 1/8 inch |
| I d i r conditions | V_D=V_DRM(max); V_R=V_RRM(max); T_j=125C; R_GK=1kOhm |
| R th j a conditions | printed-circuit board mounted; lead length=4mm |
| V gt 125c conditions | V_D=V_DRM(max); T_j=125C |
| V drm v rrm conditions | BT169G |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Описание (англ.) | Thyristor SCR 600V 9A 3-Pin SPT Bulk |
Заметили ошибку в описании или параметрах?