
Документация
BT169D.112, Тиристор TO-92
У поставщика
ПроизводительNEX-NXP
У поставщиков
840 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:840 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,39 |
| от 100 | 8,59 |
| от 1 000 | 7,34 |
Описание
Тиристор BT169D от NEX-NXP в корпусе TO-92. Выдерживает ток удержания до 5 мА, имеет стандартную распиновку: анод, управляющий электрод и катод. Подходит для монтажа в отверстия на печатной плате. Применяется в схемах управления нагрузкой, бытовой электронике и простых регуляторах мощности.
Технические характеристики
| Тип | Thyristor (SCR) |
| Цоколевка | 1: anode, 2: gate, 3: cathode |
| Корпус | SOT54 (TO-92) |
| Тип монтажа | THT |
| Компонент | BT169D |
| Габарит A | 5.0-5.2mm |
| Габариты D | 4.4-4.8mm |
| Dimensions E | 3.6-4.2mm |
| Габариты Д | 12.7-14.5mm |
| Размеры b | 0.40-0.48mm |
| Размеры c | 0.38-0.45mm |
| Размеры d | 1.4-1.7mm |
| Размер E | 2.54mm |
| Корпус | TO-92 |
| Dimensions L1 | 2.5mm |
| Dimensions b1 | 0.55-0.66mm |
| Dimensions e1 | 1.27mm |
| Описание | SCRs Sen SCR 400V .8A 200uA |
| Holding current max | 5mA |
| Holding current typ | 2mA |
| I2t for fusing 10ms | 0.32A²s |
| Peak gate power max | 2W |
| Current on state rms | 0.8A |
| Latching current max | 6mA |
| Latching current typ | 2mA |
| On state voltage max | 1.7V |
| On state voltage typ | 1.25V |
| Gate turn on time typ | 2µs |
| Peak gate current max | 1A |
| Peak gate voltage max | 5V |
| Average gate power max | 0.1W |
| Current on state average | 0.5A |
| Gate trigger current min | 50µA |
| Gate trigger current typ | 200µA |
| Gate trigger voltage min | 0.5V |
| Gate trigger voltage typ | 0.8V |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Диап. темп. хр. | -40°C to +150°C |
| On state voltage condition | IT=1.2A |
| Voltage non repetitive max | 800V (not recommended) |
| Peak reverse gate voltage max | 5V |
| Rate of rise on state current | 50A/µs |
| Surge current non repetitive 10ms | 8A |
| Circuit commuted turn off time typ | 100µs |
| Surge current non repetitive 8.3ms | 9A |
| Thermal resistance junction to lead max | 60 K/W |
| Voltage rating repetitive peak off state | 400V |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 150 K/W |
| Critical rate of rise off state voltage typ | 800V/µs |
| Critical rate of rise off state voltage condition | RGK=1kΩ, Tj=125°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?