+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BT169D.112
Документация

BT169D.112, Тиристор TO-92

Артикул:1207246
У поставщика
ПроизводительNEX-NXP
У поставщиков
840 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:840 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 100 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 111,39
от 1008,59
от 1 0007,34
Описание

Тиристор BT169D от NEX-NXP в корпусе TO-92. Выдерживает ток удержания до 5 мА, имеет стандартную распиновку: анод, управляющий электрод и катод. Подходит для монтажа в отверстия на печатной плате. Применяется в схемах управления нагрузкой, бытовой электронике и простых регуляторах мощности.

Технические характеристики
ТипThyristor (SCR)
Цоколевка1: anode, 2: gate, 3: cathode
КорпусSOT54 (TO-92)
Тип монтажаTHT
КомпонентBT169D
Габарит A5.0-5.2mm
Габариты D4.4-4.8mm
Dimensions E3.6-4.2mm
Габариты Д12.7-14.5mm
Размеры b0.40-0.48mm
Размеры c0.38-0.45mm
Размеры d1.4-1.7mm
Размер E2.54mm
КорпусTO-92
Dimensions L12.5mm
Dimensions b10.55-0.66mm
Dimensions e11.27mm
ОписаниеSCRs Sen SCR 400V .8A 200uA
Holding current max5mA
Holding current typ2mA
I2t for fusing 10ms0.32A²s
Peak gate power max2W
Current on state rms0.8A
Latching current max6mA
Latching current typ2mA
On state voltage max1.7V
On state voltage typ1.25V
Gate turn on time typ2µs
Peak gate current max1A
Peak gate voltage max5V
Average gate power max0.1W
Current on state average0.5A
Gate trigger current min50µA
Gate trigger current typ200µA
Gate trigger voltage min0.5V
Gate trigger voltage typ0.8V
Макс. темп. перехода125°C
Диап. темп. хр.-40°C to +150°C
On state voltage conditionIT=1.2A
Voltage non repetitive max800V (not recommended)
Peak reverse gate voltage max5V
Rate of rise on state current50A/µs
Surge current non repetitive 10ms8A
Circuit commuted turn off time typ100µs
Surge current non repetitive 8.3ms9A
Thermal resistance junction to lead max60 K/W
Voltage rating repetitive peak off state400V
Thermal resistance junction to ambient typ150 K/W
Critical rate of rise off state voltage typ800V/µs
Critical rate of rise off state voltage conditionRGK=1kΩ, Tj=125°C

Заметили ошибку в описании или параметрах?