Документация
Тиристор 200В 0,8А 200мкА (Логический уровень)
У поставщика
ПроизводительWeEn
У поставщиков
996 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:996 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 142 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,41 |
| от 63 | 4,92 |
| от 107 | 4,43 |
| от 213 | 4,07 |
| от 425 | 3,81 |
Описание
Тиристор BT169B,126 от WeEn — это логический SCR-компонент на напряжение 200 В и ток до 0,8 А. Выполнен в корпусе TO92 с формованными выводами, упаковка — лента в коробке. Подходит для схем промышленной автоматики и бытовой электроники, где требуется надежное управление нагрузкой.
Технические характеристики
| T stg | -40C to +150C |
| Цоколевка | 1: anode (a); 2: gate (g); 3: cathode (k) |
| Серия | BT169 |
| I h typ | 2mA |
| I l typ | 2mA |
| Корпус | TO92/formed lead |
| T j max | 125C |
| V t typ | 1.25V |
| I gt typ | 50uA |
| Тип монтажа | Выводной |
| R th j a | 150K/W |
| V gt typ | 0.5V |
| I tsm max | T 10ms: 8A; T 8 3ms: 9A |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | A: 5.2mm max / 5.0mm min; D: 4.8mm max / 4.4mm min; E: 4.2mm max / 3.6mm min; L: 14.5mm max / 12.7mm min; B: 0.48mm max / 0.40mm min; C: 0.45mm max / 0.38mm min; D: 1.7mm max / 1.4mm min; E: 2.54mm; L1: 2.5mm; B1: 0.66mm max / 0.55mm min; E1: 1.27mm; Шаг: 2.54mm |
| I2t fusing | 0.32A2s |
| I t av max | 0.5A |
| Описание | Passivated, sensitive gate thyristors in a SOT54 plastic package |
| I d i r typ | 0.05mA |
| I t rms max | 0.8A |
| R th j lead | 60K/W |
| Dv dt gate open | 25V/us |
| V drm v rrm max | BT169B: 200V; BT169D: 400V; BT169G: 600V |
| Di dt repetitive | 50A/us |
| V gt at 125c max | 0.3V |
| V gt at 125c min | 0.2V |
| T gt turn on time | 2us |
| T q turn off time | 100us |
| Dv dt critical max | 800V/us |
| Dv dt critical min | 500V/us |
| Epoxy flammability | UL94 V-0 at 1/8 inch |
| P gm peak gate power | 2W |
| I gm peak gate current | 1A |
| V gm peak gate voltage | 5V |
| I h holding current max | 5mA |
| Тип упаковки | Amunition Pack (лента в коробке) |
| I l latching current max | 6mA |
| V t on state voltage max | 1.7V |
| P g av average gate power | 0.1W |
| Описание (англ.) | Thyristor SCR 200V 9A 3-Pin SPT Ammo |
| I d i r off state leakage max | 0.1mA |
| I gt gate trigger current max | 200uA |
| V gt gate trigger voltage max | 0.8V |
| V rgm peak reverse gate voltage | 5V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?