Документация
Тиристор 600В 1А 200мкА (Логический уровень)
У поставщика
ПроизводительWeEn
У поставщиков
2 056 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 056 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 90 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,81 |
| от 83 | 7,25 |
| от 165 | 6,61 |
| от 330 | 5,96 |
| от 659 | 5,43 |
Описание
Тиристор BT168GW,115 от WeEn — это компонент логического уровня на 600 В и 1 А. Выполнен в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Подходит для схем промышленной автоматики и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | SOT223 (SC-73) |
| Тип монтажа | SMD |
| Производитель | WeEn Semiconductors |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип компонента | SCR (Thyristor) |
| Peak gate power | 2W |
| Peak gate current | 1A |
| Конфиг. выводов | 1: cathode, 2: anode, 3: gate, 4: mb (anode) |
| Average gate power | 0.1W |
| DV/dt gate open typ | 25 V/µs |
| Holding current max | 5mA |
| Holding current typ | 2mA |
| Макс. обратный ток | 0.1mA |
| Latching current max | 6mA |
| Latching current typ | 2mA |
| On state voltage max | 1.7V |
| On state voltage typ | 1.25V |
| Rms on state current | 1A |
| Off state current max | 0.1mA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Average on state current | 0.63A |
| Gate trigger current max | 200µA |
| Gate trigger current min | 20µA |
| Gate trigger current typ | 50µA |
| Gate trigger voltage max | 0.8V |
| Gate trigger voltage typ | 0.5V |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Peak reverse gate voltage | 5V |
| Диап. темп. хр. | -40°C to 150°C |
| Commutated turn off time typ | 100µs |
| DV/dt with gate resistor min | 500 V/µs |
| DV/dt with gate resistor typ | 800 V/µs |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 600V |
| Gate controlled turn on time typ | 2µs |
| Repetitive peak off state voltage | 600V |
| Non repetitive peak on state current | 8A (10ms), 9A (8.3ms) |
| Thermal resistance junction to solder point max | 15 K/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ pad area | 70 K/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ min footprint | 156 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?