
Документация
BT151-500 (12А 500В) TO-220, симистор ZH (арт. 261822)
У поставщика
У поставщиков
1 250 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:1 250 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 22,13 |
Описание
BT151-500 — симистор производства ZH в корпусе TO-220. Компонент рассчитан на ток до 12 А и напряжение до 500 В, что делает его подходящим для управления нагрузками в цепях переменного тока. Применяется в схемах регулировки мощности, системах освещения и бытовой технике. Отличается высокой коммутационной способностью и устойчивостью к импульсным помехам.
Технические характеристики
| Тип | Thyristor (SCR) |
| Тип | симистор |
| Ток, А | 12 А |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| I2t fusing | 50 A²/s (10ms) |
| Артикул | BT151-500 |
| Ширина корпуса | 8.5 to 8.9 |
| Lead pitch mm | 2.44 to 2.64 |
| Body height mm | 4.34 to 4.67 |
| Длина корпуса | 9.9 to 10.2 |
| Тип компонента | thyristor |
| Ток удержания | 20mA |
| Package width e | 8.50-8.90mm |
| Latching current | 40mA |
| Package height a | 4.34-4.67mm |
| Package length d | 9.90-10.20mm |
| Peak gate current | 2A |
| Average gate power | 5W |
| I2t for fusing 10ms | 50 A²s |
| Current on state rms | 12A |
| Gate trigger current | 15mA |
| Gate trigger voltage | 1.5V |
| Rms on state current | 12A |
| Напряжение, В | 500 В |
| Package pin spacing e | 2.44-2.64mm |
| Package pin spacing e1 | 4.88-5.28mm |
| Holding current typical | 20mA |
| On state voltage at 23A | 1.75V |
| Average on state current | 7.5A |
| Current on state average | 7.5A |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Latching current typical | 40mA |
| On state voltage typical | 1.75V (at 23A) |
| Диап. темп. хр. | -40°C to 150°C |
| Total length with leads mm | 13.2 to 13.8 |
| Gate trigger current typical | 15mA |
| Gate trigger voltage at 125C | 0.25V |
| Gate trigger voltage typical | 1.5V |
| Off state leakage current max | 0.5mA (at 125°C) |
| Рабочая температура перехода | 125°C |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 500V |
| Voltage reverse repetitive peak | 500V |
| Current non repetitive peak surge | 100A (10ms) |
| Off state leakage current at 125C | 0.5mA |
| Repetitive peak off state voltage | 500V |
| Voltage off state repetitive peak | 500V |
| Gate trigger voltage min high temp | 0.25V |
| Package mounting hole diameter phi | 3.60-3.96mm |
| Non repetitive peak on state current 10ms | 100A |
| Non repetitive peak on state current 8 3ms | 110A |
| Transient thermal impedance junction to mounting base | see Fig.10 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?