Документация
Тиристор 600В 4А 200мкА (Логический уровень)
У поставщика
ПроизводительWeEn
У поставщиков
2 500 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 38,84 |
| от 53 | 35,49 |
| от 106 | 32,74 |
| от 211 | 30,67 |
| от 422 | 29,12 |
Описание
Тиристор BT150S-600R от WeEn рассчитан на напряжение до 600 В и ток до 4 А. Компонент выполнен в компактном корпусе DPAK (TO-252AA) и поддерживает управление от логического уровня (200 мкА). Подходит для схем управления нагрузками в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | Thyristor 600V 4A 200uA (Logic level) |
| Артикул | BT150S-600R,118 |
| Limiting values | Peak gate power: 5W; Peak gate current: 2A; Peak gate voltage: 5V; Average gate power: 0.5W; Rms on state current: 4A; I2t for fusing t 10ms: 6.1A^2s; Average on state current: 2.5A; Peak reverse gate voltage: 5V; Диап. темп. хр.: -40C to 150C; Рабочая температура перехода: 125C; Repetitive peak reverse voltage vrrm: 600V; Repetitive peak off state voltage vdrm: 600V; Non repetitive peak on state current tsm: T 10ms: 35A; T 8.3ms: 38A; Repetitive rate of rise of on state current: 50A/us |
| Mechanical data | Net mass: 1.1g; Размеры: Ширина вывода: 2.38mm; Width max: 6.22mm; Макс. высота: 6.73mm; Ширина вывода: 0.5mm; Макс. длина: 10.4mm; Plastic flammability: UL94 V0 at 1/8 inch |
| Конфиг. выводов | Tab: anode; Вывод 1: cathode; Вывод 2: anode; Вывод 3: gate |
| Thermal resistances | Thermal resistance junction to mounting base: 3.0K/W; Thermal resistance junction to ambient pcb mounted: 75K/W |
| Static characteristics | Ток удержания: Max: 6mA; Min: —; Typ: 0.10mA; Latching current: Max: 10mA; Min: —; Typ: 0.17mA; On state voltage: Max: 1.8V; Typ: 1.23V; Test condition: IT=5A; Gate trigger current: Max: 200uA; Min: —; Typ: 15uA; Gate trigger voltage: Max: 1.5V; Typ: 0.4V; Test condition: VD=12V, IT=0.1A; Off state leakage current: Max: 0.5mA; Typ: 0.1mA; Test condition: VD=VDRM(max), VR=VRRM(max), Tj=125C; Gate trigger voltage high temp: Min: 0.1V; Typ: 0.2V; Test condition: VD=VDRM(max), IT=0.1A, Tj=110C |
| Dynamic characteristics | Gate controlled turn on time: Typ: 2us; Test condition: IT=10A, VD=VDRM(max), IG=5mA, dID/dt=0.2A/us; Circuit commutated turn off time: Typ: 100us; Test condition: VD=67% VDRM(max), Tj=125C, ITM=8A, VR=10V, dITM/dt=10A/us, dVD/dt=2V/us, RGK=1kohm; Critical rate of rise of off state voltage: Typ: 50V/us; Test condition: VD=67% VDRM(max), exponential waveform, Tj=125C, RGK=100ohm |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | Thyristor SCR 600V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Заметили ошибку в описании или параметрах?