Документация
Тиристор 600В 0.8А 200мкА (Логический уровень)
У поставщика
ПроизводительWeEn
У поставщиков
3 527 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 527 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 38 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 18,34 |
| от 105 | 16,45 |
| от 210 | 14,88 |
| от 420 | 13,69 |
| от 839 | 12,81 |
Описание
Тиристор BT149G,126 от WeEn — это логический SCR на 600 В и 0,8 А. Компонент выполнен в корпусе TO92 с формованными выводами и рассчитан на ток удержания 200 мкА. Подходит для схем управления в бытовой электронике и маломощных нагрузках.
Технические характеристики
| Контактов | Pin: 1; Наименование: K; Функция: cathode, Pin: 2; Наименование: G; Функция: gate, Pin: 3; Наименование: A; Функция: anode |
| Тип | SCR |
| Цоколевка | A-G-K reverse pin-out |
| Корпус | TO92/formed lead |
| Особенности | Enhanced voltage capability, Planar passivated for voltage ruggedness and reliability, Sensitive gate, Direct triggering from low power drivers and logic ICs, A-G-K reverse pin-out |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | Тиристор 600В 0.8А 200мкА (Логический уровень) |
| Артикул | BT149G,126 |
| Применение | General purpose switching and phase control |
| Static characteristics | Ток удержания: Max: 5mA; Min: —; Typ: 2mA; Conditions: V_D=12V; T_j=25°C; R_GK(ext)=1kΩ; Обратный ток: Max: 0.1mA; Min: —; Typ: 0.05mA; Conditions: V_R=600V; T_j=125°C; R_GK(ext)=1kΩ; Latching current: Max: 6mA; Min: —; Typ: 2mA; Conditions: V_D=12V; I_G=0.5mA; T_j=25°C; R_GK(ext)=1kΩ; On state voltage: Max: 1.7V; Min: —; Typ: 1.25V; Conditions: I_T=1.2A; T_j=25°C; Off state current: Max: 0.1mA; Min: —; Typ: 0.05mA; Conditions: V_D=600V; R_GK(ext)=1kΩ; T_j=125°C; Gate trigger current: Max: 200μA; Min: —; Typ: 50μA; Conditions: V_D=12V; I_T=10mA; T_j=25°C; Gate trigger voltage: Max: 0.8V; Min: —; Typ: 0.5V; Conditions: V_D=12V; I_T=10mA; T_j=25°C; Gate trigger voltage high temp: Max: —; Min: 0.2V; Typ: 0.3V; Conditions: V_D=600V; I_T=10mA; T_j=125°C |
| Dynamic characteristics | Commutated turn off time: Typ: 100μs; Conditions: V_DM=402V; T_j=125°C; I_TM=1.6A; V_R=35V; (dI_T/dt)=30A/μs; dV_D/dt=2V/μs; R_GK(ext)=1kΩ; (V_DM=67% of V_DRM); Gate controlled turn on time: Typ: 2μs; Conditions: I_TM=2A; V_D=600V; I_G=10mA; dI_G/dt=0.1A/μs; T_j=25°C; Rate of rise of off state voltage: Gate open circuit: Max: —; Min: —; Typ: 25V/μs; Conditions: V_DM=402V; T_j=125°C; (V_DM=67% of V_DRM); exponential waveform; gate open circuit; With gate resistor: Max: —; Min: 500V/μs; Typ: 800V/μs; Conditions: V_DM=402V; T_j=125°C; R_GK=1kΩ; (V_DM=67% of V_DRM); exponential waveform |
| Тепл. хар-ки | Тепловое сопротивление переход-вывод: Max: 60K/W; Термосопротивление переход-среда: Typ: 150K/W; Conditions: printed circuit board mounted: lead length = 4mm; free air |
| Тип упаковки | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Предельные значения | I2t for fusing: 0.32A²s; Peak gate power: 2W; Peak gate current: 1A; Average gate power: 0.1W; Темп. хранения: -40°C to 150°C; Темп. перехода: 125°C; Rms on state current: 0.8A; Average on state current: 0.5A; Peak reverse gate voltage: 5V; Повторяющееся импульсное обратное напряжение: 600V; Rate of rise of on state current: 50A/μs; Repetitive peak off state voltage: 600V; Non repetitive peak on state current: 10ms: 8A; 8.3ms: 9A |
| Описание (англ.) | Thyristor SCR 600V 9A 3-Pin SPT Ammo |
Заметили ошибку в описании или параметрах?