Документация
BT139X-600E,127, TO-220F
У поставщика
ПроизводительWeEn Semicond
У поставщиков
7 800 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:7 800 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,07 |
| от 20 | 40,78 |
| от 200 | 37,31 |
Описание
Тиристор (симистор) BT139X-600E от WeEn Semicond в изолированном корпусе TO-220F для выводного монтажа. Выдерживает напряжение до 600 В, управляется по всем четырем квадрантам. Подходит для схем регулировки мощности в промышленной автоматике и бытовой технике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT186A (TO-220F full pack) |
| Тип монтажа | THT |
| Артикул | BT139X-600E |
| Корпус | TO220 |
| Высота корпуса | 2.9mm (A1) |
| Длина корпуса | 4.6mm (A) |
| Статус продукта | active |
| Package lead width | 0.9mm (b) |
| Current holding max | 45mA |
| Dv dt off state min | 50V/µs |
| Power peak gate max | 5W |
| Voltage on state max | 1.6V |
| Current peak gate max | 2A |
| Емк. изоляции | 10pF |
| Изол. напр. RMS | 2500V |
| Sensitivity quadrants | all four quadrants |
| Voltage off state max | 600V |
| Voltage peak gate max | 5V |
| Package lead thickness | 1.1mm (b1?) |
| Power average gate max | 0.5W |
| Current i2t fusing 10ms | 120A²s |
| Макс. темп. хранения | 150°C |
| Мин. темп. хранения | -40°C |
| Current rms on state max | 16A |
| Temperature junction max | 125°C |
| Voltage gate trigger max | 1.5V |
| Power total dissipation max | 25W (typical figure from graph) |
| Turn on time gate controlled | 2µs |
| Di dt repetitive t2plus gplus | 50A/µs |
| Voltage gate trigger min 125c | 0.25V |
| Di dt repetitive t2minus gplus | 10A/µs |
| Di dt repetitive t2plus gminus | 50A/µs |
| Di dt repetitive t2minus gminus | 50A/µs |
| Current latching t2plus gplus max | 30mA |
| Voltage off state peak repetitive | 600V |
| Current latching t2minus gplus max | 40mA |
| Current latching t2plus gminus max | 40mA |
| Current off state leakage 125c max | 0.5mA |
| Current latching t2minus gminus max | 30mA |
| Current gate trigger t2plus gplus max | 10mA |
| Current gate trigger t2minus gplus max | 25mA |
| Current gate trigger t2plus gminus max | 10mA |
| Термосопротивление переход-среда | 55K/W |
| Current gate trigger t2minus gminus max | 10mA |
| Current non repetitive peak on state 20ms | 155A |
| Current non repetitive peak on state 16 7ms | 170A |
| Thermal resistance junction to heatsink with compound | 4.0K/W |
| Thermal resistance junction to heatsink without compound | 5.5K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?