+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

BT139-600B (16А 600В) TO-220, симистор (арт. 008516)

Артикул:743602
У поставщика
ПроизводительChina
КатегорияСимисторы
У поставщиков
450 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:450 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 50
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 127,35
Описание

BT139-600B — симистор производства Китай, предназначенный для управления нагрузками в цепях переменного тока. Компонент рассчитан на ток до 16 А и напряжение до 600 В, выпускается в корпусе TO-220. Применяется в схемах регулировки мощности, управления освещением, нагревателями и электродвигателями, обеспечивая надежную коммутацию и плавное регулирование.

Технические характеристики
ТипTRIAC
Типсимистор
Ток16 А
КорпусTO-220
Тип монтажаTHT
АртикулBT139-600B
КорпусTO-220
I2t fusing 10ms120A²s
Commutation dv dt10V/µs
Gate peak power max5W
Holding current typ45mA
Current on state rms16A
Напряжение600 В
Gate peak current max2A
Gate peak voltage max5V
Gate trigger time typ2µs
Voltage off state max600V
Gate average power max0.5W
Critical dv dt off state200V/µs
Макс. темп. перехода125°C
Диап. темп. хр.-40°C to +150°C
On state voltage it 20a max1.6V
On state voltage it 20a typ1.2V
Critical di dt t2 plus g plus50A/µs
Critical di dt t2 minus g plus10A/µs
Critical di dt t2 plus g minus50A/µs
Critical di dt t2 minus g minus50A/µs
Gate trigger voltage ud 12v typ1.5V
Surge current non repetitive 20ms155A
Latching current t2 plus g plus typ40mA
Surge current non repetitive 16 7ms170A
Latching current t2 minus g plus typ60mA
Latching current t2 plus g minus typ60mA
Off state leakage current tj125c max0.5mA
Latching current t2 minus g minus typ40mA
Термосопротивление переход-среда60K/W
Gate trigger current t2 plus g plus typ35mA
Gate trigger voltage ud 400v tj125c typ0.4V
Gate trigger current t2 minus g plus typ70mA
Gate trigger current t2 plus g minus typ35mA
Gate trigger current t2 minus g minus typ35mA
Thermal resistance junction to mounting base full cycle1.2K/W
Thermal resistance junction to mounting base half cycle1.7K/W