Документация
BT138-600 (12А 600В) TO-220, симистор ZH (арт. 025593)
У поставщика
У поставщиков
31 000 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:31 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 15,16 |
Описание
Симистор BT138-600 от китайского производителя ZH предназначен для коммутации цепей переменного тока. Компонент рассчитан на ток до 12 А и напряжение до 600 В, выполнен в стандартном корпусе TO-220. Применяется в регуляторах мощности, системах управления освещением и электродвигателями, а также в бытовой технике.
Технические характеристики
| Тип | Triac |
| DI dt | 50 A/µs (T2+G+, T2+G-, T2-G-); 10 A/µs (T2-G+) |
| Серия | BT138 |
| Тип | Симистор |
| Ток | 12 А |
| Корпус | TO-220 |
| Особенности | Very sensitive gate, four quadrant triggering, direct interface to logic level ICs |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | Высота, мм: 4.34-4.67; Ширина корпуса: 8.5-8.9; Lead pitch mm: 2.44-2.64; Длина корпуса: 9.9-10.2 |
| I2t fusing | 45 A²s (10ms) |
| Номинал I²t | 45 A²s |
| Применение | General purpose switching and phase control, 230V lamp dimmers |
| Артикул | BT138-600 |
| Время включения | 2 µs |
| Корпус | TO-220 |
| Монтаж | Выводной |
| Ном. напряжение | 600V |
| Ток удержания | 30mA |
| Peak gate power | 5W |
| Latching current | 30mA (T2+G+, T2+G-); 40mA (T2-G-, T2-G+) |
| On state voltage | 1.65V at 15A |
| Peak gate current | 2A |
| Peak gate voltage | 5V |
| Average gate power | 0.5W |
| Current rating rms | 12A |
| Holding current max | 30mA |
| Темп. хранения | -40 to 150°C |
| Gate trigger current | 10mA (T2+G+, T2+G-, T2-G-); 25mA (T2-G+) |
| Gate trigger voltage | 1.5V (Tj=25°C); 0.25V (Tj=125°C) |
| Latching current max | 30mA (T2+G+, T2-G-) / 40mA (T2+G-, T2-G+) |
| On state rms current | 12A |
| On state voltage max | 1.65V at 15A |
| Напряжение | 600 В |
| Gate trigger current max | 10mA (T2+G+, T2+G-, T2-G-) / 25mA (T2-G+) |
| Gate trigger voltage max | 1.5V |
| Gate trigger voltage min | 0.25V at 125°C |
| Off state leakage current | 0.1mA typ, 0.5mA max at 125°C |
| Диап. темп. хр. | -40 to 150°C |
| Диап. раб. темп. | -40 to 125°C |
| Peak current non repetitive | 95A (20ms) / 105A (16.7ms) |
| Gate controlled turn on time | 2 µs |
| Рабочая температура перехода | -40 to 125°C |
| Repetitive peak off state voltage | 600V |
| Non repetitive peak on state current | 95A (20ms), 105A (16.7ms) |
| Термосопротивление переход-среда | 60 K/W |
| Critical rate of rise of off state voltage | 150 V/µs at 125°C |
| Thermal resistance junction to mounting base | 1.5 K/W (full cycle), 2.0 K/W (half cycle) |