Документация
Тиристор BT137-800E
У поставщика
У поставщиков
900 шт.
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:900 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 14,67 |
Описание
Тиристор (симистор) BT137-800E от производителя WEIDA (Jiangsu Weida Semiconductor). Рассчитан на ток до 8 А и напряжение до 800 В, оснащён чувствительным управляющим электродом. Доступен в корпусах для поверхностного монтажа (TO-263, TO-252) и стандартного монтажа в отверстия (TO-220). Применяется в бытовой электронике, регуляторах мощности и системах управления освещением.
Технические характеристики
| I²t | 21 A²s |
| Igm | 2A |
| Igt | { "IV_max": "25mA", "I_II_III_max": "10mA" } |
| Pgm | 5W |
| Itsm | 65A |
| Тип | Triac |
| Pg av | 0.5W |
| Ih max | 20mA |
| Il max | { "II": "40mA", "I_III_IV": "30mA" } |
| It rms | 8A |
| Vgd min | 0.2V |
| Vgt max | 1.3V |
| Vtm max | 1.6V |
| Тип монтажа | { "TO-263": "SMD", "TO-220B": "THT", "TO-220C": "THT", "TO-220F": "THT", "TO-252-4R": "SMD" } |
| Dv dt min | 50 V/µs |
| Idrm irrm | { "Tj_25C": "5µA", "Tj_125C": "0.5mA" } |
| Vdrm vrrm | 800V |
| Описание | 8A Triac, sensitive gate, 800V |
| Артикул | BT137-800E |
| Производитель | Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd. |
| Di dt critical | { "IV": "10 A/µs", "I_II_III": "50 A/µs" } |
| Mechanical data | Refer to datasheet mechanical drawings for detailed dimensions per package. |
| Варианты корпуса | [ "TO-220B (Non-Insulated)", "TO-220C", "TO-220F (Insulated)", "TO-252-4R", "TO-263" ] |
| Temperature storage | -40~150°C |
| Temperature operating | -40~125°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | { "TO-263": "3.0 °C/W", "TO-252-4R": "2.0 °C/W", "TO-220F_Ins": "2.8 °C/W", "TO-220B_NonIns_TO-220C": "1.8 °C/W" } |