Документация
Симистор 600В 1А 5мА 4Q BT134W-600D,115
У поставщика
ПроизводительWeEn
У поставщиков
1 096 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 096 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 38 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 18,79 |
| от 110 | 16,82 |
| от 220 | 15,20 |
| от 440 | 13,96 |
| от 1 000 | 13,04 |
Описание
Симистор BT134W-600D,115 от WeEn — это компактный ключ для управления нагрузкой переменного тока. Компонент рассчитан на напряжение до 600 В и ток до 1 А (RMS), выпускается в корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Подходит для схем бытовой электроники и маломощных устройств управления.
Технические характеристики
| Тип | BT134W-600D |
| Серия | D (very sensitive gate) |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Quadrants | all four quadrants |
| Код маркировки | BT134W-6D |
| Корпус | SOT-223 |
| Gate peak power | 5W |
| Ток удержания | 10mA max |
| I2t fusing value | 0.5 A²s |
| On state voltage | 1.5V max at 2A |
| Gate peak current | 2A |
| Off state current | 0.5mA max at 125°C |
| Gate average power | 0.5W |
| Gate trigger voltage | 1V max at 25°C, 0.25V min at 125°C |
| Rms on state current | 1A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Диап. темп. хр. | -40°C to 150°C |
| Gate controlled turn on time | 2 µs typ |
| Описание (англ.) | TRIAC Diode 600V 1A(RMS) 11A |
| Latching current t2plus gplus | 10mA max |
| Latching current t2minus gplus | 15mA max |
| Latching current t2plus gminus | 15mA max |
| Latching current t2minus gminus | 10mA max |
| Gate trigger current t2plus gplus | 5mA max |
| Repetitive peak off state voltage | 600V |
| Gate trigger current t2minus gplus | 10mA max |
| Gate trigger current t2plus gminus | 5mA max |
| Gate trigger current t2minus gminus | 5mA max |
| Диапазон темп. перехода | -40°C to 125°C |
| Rate of rise of on state current di dt | 50 A/µs |
| Rate of rise of off state voltage dv dt | 5 V/µs |
| Non repetitive peak on state current 20ms | 10A |
| Non repetitive peak on state current 16 7ms | 11A |
| Тепловое сопротивление переход-пайка | 15 K/W |
| Thermal resistance junction to ambient pad area | 70 K/W |
| Thermal resistance junction to ambient min footprint | 156 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?