+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BT131-600,116
Документация

BT131-600,116, Биполярный транзистор 600В 1А 3мА

Артикул:1217547
У поставщика
ПроизводительWeEn Semicond
У поставщиков
4 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:4 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 131,05
от 10028,67
от 1 00028,37
Описание

BT131-600,116 — симистор (Triac) от WeEn Semicond в корпусе TO-92 для выводного монтажа. Рабочее напряжение до 600 В, ток в открытом состоянии 1 А (среднеквадратичный), ток удержания не более 5 мА. Подходит для управления нагрузками в бытовой электронике и промышленной автоматике, например, в схемах регулировки мощности и коммутации переменного тока.

Технические характеристики
ТипTriac
Вывод 1T2
Вывод 2G
Вывод 3T1
Маркировка131-6
КорпусTO-92 (SOT54)
Тип монтажаTHT
АртикулBT131-600
Ток удержания5mA max
Peak gate power5W
Peak gate current2A
Average gate power0.1W
On state voltage max1V
Rms on state current1A
Off state current 125c0.5mA max
Gate trigger voltage 25c1V max
Макс. темп. перехода125°C
On state voltage typical1.2V
Gate trigger voltage 125c0.3V typ
Диап. темп. хр.-40°C to 150°C
Gate controlled turn on time2µs typ
Latching current t2 plus g plus5mA max
Latching current t2 minus g plus8mA max
Latching current t2 plus g minus8mA max
Latching current t2 minus g minus5mA max
Repetitive peak off state voltage600V
Commutating voltage rate dv com dt2V/µs min
Gate trigger current t2 plus g plus3mA max
Gate trigger current t2 minus g plus7mA max
Gate trigger current t2 plus g minus3mA max
Gate trigger current t2 minus g minus3mA max
Термосопротивление переход-среда150K/W
Rate of rise of off state voltage dv dt20V/µs typ
Non repetitive peak on state current 20ms12.5A
Non repetitive peak on state current 16 7ms13.7A
Thermal resistance junction to lead full cycle60K/W
Thermal resistance junction to lead half cycle80K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?