Документация
Симистор 600В 1А 3мА 4Q BT131-600,116
У поставщика
ПроизводительWeEn
У поставщиков
114 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:114 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 76 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,86 |
| от 36 | 9,19 |
| от 63 | 8,44 |
| от 126 | 7,83 |
| от 251 | 7,33 |
Описание
Симистор BT131-600,116 от производителя WeEn Semiconductor предназначен для коммутации цепей переменного тока. Устройство рассчитано на ток до 1 А и напряжение до 600 В, управляется током отпирания 3 мА. Компонент поддерживает работу во всех четырёх квадрантах (4Q), что обеспечивает гибкость управления нагрузкой. Применяется в регуляторах мощности, бытовой технике и системах освещения.
Технические характеристики
| Тип | triac |
| Корпус | TO-92 |
| Тип монтажа | THT |
| Шаг выводов | 2.54mm |
| Технология | logic level |
| Длина вывода | 14.5mm |
| Корпус | TO92/formed lead |
| Peak gate power | 5W |
| Peak gate current | 2A |
| Average gate power | 0.1W |
| Package body depth | 4.2mm |
| Ширина корпуса | 4.8mm |
| Holding current max | 5mA |
| I2t for fusing 10ms | 1.28A²s |
| Package body height | 5.2mm |
| Rms on state current | 1A |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate trigger voltage max | 1.5V |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Gate trigger voltage typical | 0.7V |
| On state voltage max at 1 4a | 1.5V |
| Описание (англ.) | TRIAC 600V 1A(RMS) 13.7A 3-Pin SPT T/R |
| Repetitive peak off state voltage | 600V |
| Off state voltage rate of rise min | 10V/µs |
| Latching current max t2 plus g plus | 5mA |
| Commutating voltage rate of rise min | 2V/µs |
| Gate controlled turn on time typical | 2µs |
| Latching current max t2 minus g plus | 8mA |
| Latching current max t2 plus g minus | 8mA |
| Latching current max t2 minus g minus | 5mA |
| Gate trigger current max t2 plus g plus | 3mA |
| Gate trigger current max t2 minus g plus | 7mA |
| Gate trigger current max t2 plus g minus | 3mA |
| Gate trigger current max t2 minus g minus | 3mA |
| Non repetitive peak on state current 20ms | 12.5A |
| Non repetitive peak on state current 16 7ms | 13.8A |
| Thermal resistance junction to ambient typical | 150K/W |
| Thermal resistance junction to lead full cycle | 60K/W |
| Thermal resistance junction to lead half cycle | 80K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?