+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BT131-600,116
Документация

Симистор 600В 1А 3мА 4Q BT131-600,116

Артикул:770112
У поставщика
ПроизводительWeEn
У поставщиков
76 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:76 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 78 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 19,55
от 368,90
от 638,19
от 1267,59
от 2517,11
Описание

Симистор BT131-600,116 от производителя WeEn Semiconductor предназначен для коммутации цепей переменного тока. Устройство рассчитано на ток до 1 А и напряжение до 600 В, управляется током отпирания 3 мА. Компонент поддерживает работу во всех четырёх квадрантах (4Q), что обеспечивает гибкость управления нагрузкой. Применяется в регуляторах мощности, бытовой технике и системах освещения.

Технические характеристики
Типtriac
КорпусTO92/formed lead
Тип монтажаВыводной
Шаг выводов2.54mm
Технологияlogic level
Длина вывода14.5mm
Peak gate power5W
Peak gate current2A
Average gate power0.1W
Package body depth4.2mm
Ширина корпуса4.8mm
Holding current max5mA
I2t for fusing 10ms1.28A²s
Package body height5.2mm
Rms on state current1A
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-40°C
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Gate trigger voltage max1.5V
Макс. темп. перехода125°C
Gate trigger voltage typical0.7V
On state voltage max at 1 4a1.5V
Описание (англ.)TRIAC 600V 1A(RMS) 13.7A 3-Pin SPT T/R
Repetitive peak off state voltage600V
Off state voltage rate of rise min10V/µs
Latching current max t2 plus g plus5mA
Commutating voltage rate of rise min2V/µs
Gate controlled turn on time typical2µs
Latching current max t2 minus g plus8mA
Latching current max t2 plus g minus8mA
Latching current max t2 minus g minus5mA
Gate trigger current max t2 plus g plus3mA
Gate trigger current max t2 minus g plus7mA
Gate trigger current max t2 plus g minus3mA
Gate trigger current max t2 minus g minus3mA
Non repetitive peak on state current 20ms12.5A
Non repetitive peak on state current 16 7ms13.8A
Thermal resistance junction to ambient typical150K/W
Thermal resistance junction to lead full cycle60K/W
Thermal resistance junction to lead half cycle80K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?