Документация
Описание
Силовой N-канальный MOSFET от Infineon в компактном корпусе PG-TSDSON-8 FL для поверхностного монтажа. Выдерживает импульсный ток до 160 А и рассеивает до 69 Вт тепла. Подходит для высокочастотных преобразователей и цепей управления питанием в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | PG-TSDSON-8 FL |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-channel |
| Артикул | BSZ040N06LS5ATMA1 |
| Output charge max | 42nC |
| Output charge typ | 32nC |
| Рассеиваемая мощность | 69W |
| Gate resistance max | 2.4Ω |
| Gate resistance typ | 1.6Ω |
| Импульсный ток стока | 160A |
| Transconductance min | 32S |
| Transconductance typ | 65S |
| Входная емкость макс. | 3100pF |
| Тип. входная емкость | 2400pF |
| Заряд затвора макс. | 22nC |
| Тип. заряд затвора | 18nC |
| Макс. выходная емкость | 650pF |
| Выходная емкость тип. | 500pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | 20V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Continuous drain current | 40A |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.80V |
| Макс. время обрат. восстановления | 48ns |
| Тип. время восст. | 24ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.1V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.7V |
| Reverse recovery charge max | 22nC |
| Тип. заряд восст. | 11nC |
| Avalanche energy single pulse | 117mJ |
| Макс. Rси вкл. | 4.0mΩ |
| Reverse transfer capacitance max | 44pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 25pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Thermal resistance junction case max | 1.8K/W |
| Thermal resistance junction case min | 1.1K/W |
| Thermal resistance junction ambient typ | 62K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?