Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.15A
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
758 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,32 ₽
Сумма1 064,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии758 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 345 — 4,96 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 064,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 236,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 064,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Infineon. Работает при напряжении до 60 В и токе до 0,15 А, выпускается в компактном корпусе SOT-323. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Цоколевка | Pin1: G, Pin2: S, Pin3: D |
| Маркировка | YBs |
| Корпус | PG-SOT-323 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 20.5ns to 30.8ns |
| Время нарастания | 16.2ns to 24.3ns |
| Описание | SIPMOS Small-Signal-Transistor, P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Артикул | BSS84PW |
| Тип канала | P-канал |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Лента и катушка | 3000pcs/reel |
| RDS(on) при VGS 10 В | 4.6Ω to 8Ω |
| Rds on vgs 2 7v | 10.5Ω to 25Ω |
| RDS(on) при VGS 4,5 В | 6.9Ω to 12Ω |
| Крутизна | 0.08S to 0.16S |
| Климатическая категория | 55/150/56 |
| Общий заряд затвора | 1nC to 1.5nC |
| Вх. емкость | 15.3pF to 19.1pF |
| Рассеиваемая мощность | 0.3W |
| Выходная емкость | 5.8pF to 7.3pF |
| Время задержки включения | 6.7ns to 10ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| dV/dt обратного диода | 6kV/µs |
| Время задержки выключения | 8.6ns to 12.9ns |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Напряжение плато затвора | -3.4V |
| Заряд затвор-сток | 0.3nC to 0.45nC |
| Импульсный ток стока | -0.6A |
| Заряд затвор-исток | 0.25nC to 0.38nC |
| Время обратного восстановления | 23.6ns to 35.4ns |
| Пороговое напряжение затвора | -1V to -2V |
| Заряд обратного восстановления | 11.6nC to 17.4nC |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | -0.15A |
| Avalanche energy periodic | 0.03mJ |
| Диап. темп. хр. | -55...+150°C |
| Сопротивление сток-исток | 8Ω |
| Тип. пороговое Uзи | -1.5V |
| Ток утечки затвор-исток | -10nA to -100nA |
| Диап. раб. темп. | -55...+150°C |
| Inverse diode pulsed current | -0.6A |
| Обратная проходная емкость | 3pF to 3.8pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 60V 0.15A Automotive |
| Энергия лавины, одиночный импульс | 2.61mJ |
| Inverse diode forward voltage | -0.84V to -1.12V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -60V |
| Zero gate voltage drain current 25C | -0.1µA to -1µA |
| Zero gate voltage drain current 125C | -10µA to -100µA |
| Inverse diode continuous forward current | -0.15A |
| Тепловое сопротивление переход-среда, 6 см² | 350K/W |
| Тепловое сопротивление переход-точка пайки | 110K/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, мин. площадка | 420K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?