Документация
ТРАНЗИСТОРЫ BSS84PH6327XTSA2, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.17А, 0.36Вт, 8.0 Ом, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
45 972 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:45 972 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 160 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,32 |
| от 81 | 3,88 |
| от 134 | 3,47 |
| от 267 | 3,19 |
| от 533 | 2,97 |
Описание
Полевой P-канальный MOSFET-транзистор от Infineon Technologies в компактном корпусе SOT-23-3. Предназначен для коммутации нагрузок с напряжением до 60 В и током до 0,17 А. Отличается низким сопротивлением открытого канала (типично 8 Ом) и малой рассеиваемой мощностью (0,36 Вт). Применяется в схемах управления питанием, защите от обратной полярности и портативной электронике.
Технические характеристики
| Mode | Enhancement mode |
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Цоколевка | Drain pin 3, Gate pin 1, Source pin 2 |
| Серия | SIPMOS Small-Signal-Transistor |
| Макс. TF | 30.8ns |
| Tf тип. | 20.5ns |
| Макс. TR | 24.3ns |
| Tr тип. | 16.2ns |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | -0.17 А |
| Канал (N/P) | P |
| Маркировка | YBs |
| Корпус | PG-SOT-23 |
| Qgd max | 0.45nC |
| Qgd тип. | 0.3nC |
| Qgs max | 0.37nC |
| Qgs тип. | 0.25nC |
| Qrr max | 15nC |
| Qrr тип. | 10nC |
| Макс. время обратного восстановления | 34ns |
| Trr тип. | 23ns |
| Макс. Vds | -60V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Ciss max | 19pF |
| Тип. Ciss | 15pF |
| Coss max | 8pF |
| Coss тип. | 6pF |
| Crss max | 3pF |
| Тип. Crss | 2pF |
| Gate pin | 1 |
| Idss макс. | -1µA |
| Igss макс. | -100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Drain pin | 3 |
| Esd class | Class 0 |
| Ток стока импульсный | -0.68A |
| Кол-во выводов | 3 |
| Rthjs max | 200K/W |
| Td on max | 10ns |
| Td(вкл) тип. | 6.7ns |
| Rthja 6cm2 | 300K/W |
| Source pin | 2 |
| Td off max | 12.9ns |
| Td(выкл) тип. | 8.6ns |
| Технология | SIPMOS |
| Vgs порог макс. | -2V |
| Vgs порог мин. | -1V |
| Vgs(th) тип. | -1.5V |
| Описание | P-Channel MOSFET, Logic Level, Enhancement Mode, Avalanche Rated |
| Артикул | BSS84PH6327XTSA2 |
| Channel type | P-Channel |
| Esd standard | JESD22-A114-HBM |
| Без галогенов | Yes (IEC61249-2-21) |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Qg total max | 1.5nC |
| Тип. полный заряд затвора | 1nC |
| Id непрерывный | -0.17A |
| IDSS макс. 125°C | -100µA |
| Квалификация | AEC Q101 |
| Тип транзистора | MOSFET |
| Fall time tf max | 30.8ns |
| Fall time tf typ | 20.5ns |
| Rise time tr max | 24.3ns |
| Rise time tr typ | 16.2ns |
| Мощность, Вт | 0,36 |
| Климатическая категория | 55/150/56 |
| Непрерывный ток стока 70°C | -0.14A |
| Рассеиваемая мощность | 0.36W |
| Rds on max vgs 10v | 8Ω |
| Rds on typ vgs 10v | 5.8Ω |
| Reel quantity 3000 | 3000pcs/r |
| Reverse diode dvdt | -6kV/µs |
| Tape and reel 3000 | H 6327: 3000pcs/r. |
| Package alternative | SOT-23-3 |
| Rds on max vgs 4.5v | 12Ω |
| Rds on typ vgs 4.5v | 8Ω |
| Reel quantity 10000 | 10000pcs/r |
| Reverse diode dv dt | -6kV/µs |
| Rthja min footprint | 350K/W |
| Tape and reel 10000 | H6433: 10000pcs/r. |
| Напряжение, В | -60 В |
| Avalanche energy single | 2.6mJ |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Drain source voltage vds | -60V |
| Gate charge total qg max | 1.5nC |
| Gate charge total qg typ | 1nC |
| Storage temperature tstg | -55... +150°C |
| Transconductance gfs min | 0.065S |
| Transconductance gfs typ | 0.13S |
| Avalanche energy periodic | 0.036mJ |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Input capacitance ciss max | 19pF |
| Input capacitance ciss typ | 15pF |
| Диап. раб. темп. | -55... +150°C |
| Output capacitance coss max | 8pF |
| Output capacitance coss typ | 6pF |
| Power dissipation ptot ta25 | 0.36W |
| Gate to drain charge qgd max | 0.45nC |
| Gate to drain charge qgd typ | 0.3nC |
| Pulsed drain current id puls | -0.68A |
| Turn on delay time td on max | 10ns |
| Turn on delay time td on typ | 6.7ns |
| Avalanche energy periodic ear | 0.036mJ |
| Gate to source charge qgs max | 0.37nC |
| Gate to source charge qgs typ | 0.25nC |
| Reverse recovery time trr max | 34ns |
| Reverse recovery time trr typ | 23ns |
| Turn off delay time td off max | 12.9ns |
| Turn off delay time td off typ | 8.6ns |
| Reverse recovery charge qrr max | 15nC |
| Reverse recovery charge qrr typ | 10nC |
| Continuous drain current id ta25 | -0.17A |
| Continuous drain current id ta70 | -0.14A |
| Gate threshold voltage vgsth max | -2V |
| Gate threshold voltage vgsth min | -1V |
| Gate threshold voltage vgsth typ | -1.5V |
| Inverse diode pulsed current ism | -0.68A |
| Avalanche energy single pulse eas | 2.6mJ |
| Gate plateau voltage vplateau typ | -3.42V |
| Operating junction temperature tj | -55... +150°C |
| Gate source leakage current igss max | -100nA |
| Gate source leakage current igss typ | -10nA |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | -60V |
| Inverse diode forward voltage vsd max | -1.24V |
| Inverse diode forward voltage vsd typ | -0.93V |
| Reverse transfer capacitance crss max | 3pF |
| Reverse transfer capacitance crss typ | 2pF |
| Drain source on resistance rds on vgs10 max | 8Ω |
| Drain source on resistance rds on vgs10 typ | 5.8Ω |
| Drain source on resistance rds on vgs45 max | 12Ω |
| Drain source on resistance rds on vgs45 typ | 8Ω |
| Zero gate voltage drain current idss ta25 max | -1µA |
| Zero gate voltage drain current idss ta25 typ | -0.1µA |
| Thermal resistance junction ambient 6cm2 rthja | 300K/W |
| Zero gate voltage drain current idss ta125 max | -100µA |
| Zero gate voltage drain current idss ta125 typ | -10µA |
| Inverse diode continuous forward current is ta25 | -0.17A |
| Тепловое сопротивление переход-точка пайки | 200K/W |
| Thermal resistance junction ambient min footprint rthja | 350K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?