Документация
Транзистор BSS84LT1G
У поставщика
У поставщиков
15 032 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт6,30 ₽
Сумма1 260,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии15 032 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 458 — 5,47 ₽ (−13%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 260,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 040,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 260,00 ₽
Описание
Транзистор BSS84LT1G от ON Semiconductor — P-канальный полевой МОП-транзистор с изолированным затвором. Предназначен для коммутации нагрузок и управления питанием в цепях с низким напряжением. Отличается малым током утечки и низким пороговым напряжением, что делает его подходящим для портативной электроники и логических схем.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный силовой MOSFET |
| Маркировка | PD M• |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип FET | P-канал |
| Тип монтажа | SMD |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Время спада | 1.7ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 9.7ns |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Артикул | BSS84LT1G |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Назначение выводов | 1: Gate; 2: Source; 3: Drain |
| Соотв. RoHS | Да |
| Описание | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 |
| Рассеиваемая мощность | 225mW |
| Полный заряд затвора | 2.2nC |
| Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id | 2V @ 250µA |
| Размеры упаковки | A: 0.89-1.11mm; B: 0.37-0.50mm; C: 0.08-0.20mm; D: 2.80-3.04mm; E: 1.20-1.40mm; L: 0.30-0.55mm; A1: 0.01-0.10mm; He: 2.10-2.64mm; L1: 0.35-0.69mm; E pitch: 1.78-2.04mm |
| Время задержки включения | 3.6ns |
| Transfer admittance | 50mS |
| Время задержки выключения | 12ns |
| Автомобильный | Нет |
| Импульсный ток стока | -520mA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 5V |
| Входная ёмкость Ciss | 36pF |
| Рассеиваемая мощность (Макс.) | 225mW (Ta) |
| Корпус по производителю | SOT-23-3 (TO-236) |
| Напряжение затвор-исток, В | ±20V |
| Выходная ёмкость Coss | 17pF |
| Непрерывный ток стока | -130mA |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | -50V |
| Ток утечки затвор-подложка | ±10nA |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | -0.9V to -2.0V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -50V |
| Температура выводов при пайке | 260°C в течение 10 секунд |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 6.5pF |
| Имп. ток диода исток-сток | -520mA |
| Source drain diode forward voltage | -2.2V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds | 30 pF @ 5 V |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | -0.1uA @ VDS=-25V, -15uA @ VDS=-50V, -60uA @ VDS=-50V, TJ=125°C |
| Пост. ток диода исток-сток | -130mA |
| Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.) | 5V |
| Термосопротивление переход-среда | 556°C/W |
| Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C | 130mA (Ta) |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Rds(on) | 10Ω @ VGS=-5V, ID=-100mA |
| Напряжение, В | 50 |
| Ток, А | 0,13 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?