Документация
Транзистор BSS84LT1G
У поставщика
У поставщиков
854 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:854 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 140 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,96 |
| от 597 | 4,23 |
| от 1 194 | 3,66 |
| от 3 000 | 3,21 |
| от 6 000 | 2,93 |
Описание
Транзистор BSS84LT1G от ON Semiconductor — P-канальный полевой МОП-транзистор с изолированным затвором. Предназначен для коммутации нагрузок и управления питанием в цепях с низким напряжением. Отличается малым током утечки и низким пороговым напряжением, что делает его подходящим для портативной электроники и логических схем.
Технические характеристики
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Описание | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 5V |
| Power Dissipation (Max) | 225mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 5 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130mA (Ta) |