Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 150мА, 0.31Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
4 287 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт15,00 ₽
Сумма750,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии4 287 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 126 — 13,37 ₽ (−11%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 750,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 550,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 750,00 ₽
Описание
Полевой P-канальный MOSFET-транзистор от Nexperia. Работает при напряжении до 50 В и токе до 150 мА с мощностью рассеивания 0,31 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-323. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Tf | 25ns |
| Tr | 11ns |
| GFS | 150mS |
| Заряд затвор-сток | 0.09nC |
| Заряд затвор-исток | 0.12nC |
| Vsd | -1.2V |
| Ciss | 36pF |
| Coss | 4.5pF |
| Crss | 1.3pF |
| Idss | -1µA |
| IGSS | -10µA |
| Режим | enhancement mode |
| Td(вкл) | 26ns |
| Сопротивление сток-исток | 7.5Ω |
| Rth JA | 480K/W |
| Td(выкл) | 96ns |
| ЭСР HBM | 1000V |
| Корпус | SOT323 (SC-70) |
| Rth jsp | 150K/W |
| Vbr dss | -50V |
| Напряжение Vsd, мин. | -0.85V |
| VSD тип. | -0.48V |
| Aec q101 | Да |
| Тип. Ciss | 24pF |
| Тип монтажа | SMD |
| Общий заряд затвора | 0.35nC |
| Iсс, 150 °C | -2µA |
| Кол-во выводов | 3 |
| Td(вкл) тип. | 13ns |
| Rds(вкл) тип. | 4.5Ω |
| Rth ja typ | 415K/W |
| Td(выкл) тип. | 48ns |
| Технология | Trench MOSFET |
| Описание | 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET |
| Логический уровень | Да |
| Артикул | BSS84AKW |
| Rds on 150c | 13.5Ω |
| Rds on vgs5 | 8.5Ω |
| Rth ja 1cm2 | 400K/W |
| Тип канала | P-канал |
| Производитель | Nexperia |
| Код маркировки | %VT |
| Тип. полный заряд затвора | 0.26nC |
| Пороговое напряжение затвор-исток | -2.1V |
| Rds on 150c typ | 8Ω |
| Rds on vgs5 typ | 5.7Ω |
| Rth ja 1cm2 typ | 350K/W |
| Is source current | 150mA |
| Рассеиваемая мощность | 260mW |
| Мин. пороговое Vgs | -1.1V |
| Тип. пороговое напряжение затвор-исток | -1.6V |
| Температура окружающей среды | 150°C |
| Напряжение затвор-исток | 20V |
| Темп. хранения | 150°C |
| Импульсный ток стока | 600mA |
| Напряжение сток-исток | 50V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Power dissipation tsp | 830mW |
| Power dissipation 1cm2 | 310mW |
| Темп. окружающей среды мин. | -55°C |
| Gate source voltage min | -20V |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | 150mA |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 95mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?