Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.18A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 150 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт11,07 ₽
Сумма1 107,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 150 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 183 — 9,72 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 107,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 193,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 107,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от Nexperia. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0,18 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для использования в автомобильной электронике и промышленных устройствах.
Технические характеристики
| Режим | enhancement mode |
| Макс. ток стока | -180mA |
| Макс. ток истока | -180mA |
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Цоколевка | 1: gate; 2: source; 3: drain |
| Тип. время спада | 25ns |
| Температура перехода Tj, макс. | 150°C |
| Мин. температура перехода | -55°C |
| Тип. время нарастания | 11ns |
| Крутизна, тип. | 150mS |
| Тип монтажа | SMD |
| P tot sp | 1140mW |
| Тип. заряд затвор-сток | 0.09nC |
| Тип. заряд затвор-исток, Qgs | 0.12nC |
| Макс. напряжение сток-исток | -50V |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение насыщения VSD, макс. | -1.2V |
| Напряжение насыщения тип. | -0.48V |
| C iss max | 36pF |
| Входная ёмкость, тип. | 24pF |
| Выходная ёмкость, тип. | 4.5pF |
| Проходная ёмкость, тип. | 1.3pF |
| Пиковый ток стока | -0.7A |
| Ток затвор-исток, макс. | ±10µA |
| Общая мощность при 25 °C | 350mW |
| Кол-во выводов | 3 |
| Макс. температура окружающей среды | 150°C |
| Мин. температура окружающей среды | -55°C |
| Макс. температура хранения | 150°C |
| Мин. температура хранения | -65°C |
| V esd hbm | 1000V |
| T d on max | 26ns |
| Тип. время включения | 13ns |
| Технология | Trench MOSFET |
| Описание | 50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET |
| Артикул | BSS84AK |
| Q g tot max | 0.35nC |
| Q g tot typ | 0.26nC |
| T d off max | 96ns |
| Тип. время выключения | 48ns |
| Макс. пороговое напряжение затвор-исток | -2.1V |
| Мин. пороговое напряжение затвор-исток | -1.1V |
| Пороговое напряжение V(GS), тип. | -1.6V |
| Применение | Relay driver, High-side loadswitch, High-speed line driver, Switching circuits |
| Тип канала | P-канал |
| Макс. ток стока, 100 °C | -120mA |
| Производитель | Nexperia |
| Код маркировки | %VS |
| R th j a max | 370K/W |
| R th j a typ | 310K/W |
| Макс. IDSS при 25 °C | -1µA |
| R th j sp max | 115K/W |
| Защита от ЭСР | up to 1kV |
| Макс. ток IDSS, 150 °C | -2µA |
| R dson max vgs5 | 8.5Ω |
| R dson typ vgs5 | 5.7Ω |
| R dson max vgs10 | 7.5Ω |
| R dson typ vgs10 | 4.5Ω |
| AEC-Q101 | Да |
| R dson max vgs10 150c | 13.5Ω |
| R dson typ vgs10 150c | 8Ω |
| Logic level compatible | Да |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| P tot 25c drain pad 1cm2 | 420mW |
| R th j a max drain pad 1cm2 | 300K/W |
| R th j a typ drain pad 1cm2 | 260K/W |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 50V 0.18A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R |
Заметили ошибку в описании или параметрах?