Документация
BSS84, Биполярный транзистор SOT-23 50В 130мА 300мВт (=BSS84)
У поставщика
ПроизводительUMW
У поставщиков
600 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:600 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 1 000 | 1,47 |
| от 10 000 | 1,43 |
Описание
BSS84 — P-канальный MOSFET-транзистор от UMW в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до -50 В и постоянный ток до -130 мА, рассеиваемая мощность — 300 мВт. Подходит для коммутации нагрузок в компактных схемах управления питанием и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| FET Type | P-Channel |
| Тип монтажа | SMD |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Размеры мм | A max: 1.15; A min: 0.9; D max: 3; D min: 2.8; E max: 1.4; E min: 1.2; L ref: 0.55; B max: 0.5; B min: 0.3; C max: 0.15; C min: 0.08; E typ: 0.95; A1 max: 0.1; A1 min: 0; A2 max: 1.05; A2 min: 0.9; E1 max: 2.55; E1 min: 2.25; L1 max: 0.5; L1 min: 0.3; E1 max: 2; E1 min: 1.8; Theta max: 8; Theta min: 0 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ном. напряжение | -50V |
| Описание | MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE |
| Gate body leakage | ±10nA |
| Вх. емкость | 45pF |
| Рассеиваемая мощность | 300mW |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Mounting condition | FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch |
| Выходная емкость | 25pF |
| Время задержки включения | 10ns |
| Время задержки выключения | 18ns |
| Turn test condition | VDD=-30V, ID=-0.27A, RGEN=50Ω, VGS=-10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Current rating pulsed | -520mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 150mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 225mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Прямая крутизна | 0.05S |
| Current rating continuous | -130mA |
| Capacitance test condition | VDS=-25V, VGS=0V, f=1.0MHz |
| Gate source voltage rating | ±20V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.8V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3 nC @ 5 V |
| Обратная проходная емкость | 12pF |
| Test condition on resistance | VGS=-5V, ID=-100mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -50V |
| Static drain source on resistance | 10Ω |
| Zero gate voltage drain current 25C | -15μA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 73 pF @ 25 V |
| Zero gate voltage drain current 125C | -60μA |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Термосопротивление переход-среда | 417°C/W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130mA (Ta) |
| Temperature range operating and storage | -55 to +150°C |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?