Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.36Вт, 2.1-10 Ом
У поставщика
ПроизводительGalaxy ME
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 957 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,10 ₽
Сумма630,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии6 957 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 300 штюрлицам и ИП
от 403 — 1,93 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 630,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 670,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
300 шт · Склад 13 · 630,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от производителя Galaxy ME. Работает при напряжении до 50 В и токе до 130 мА, мощность рассеивания составляет 0,36 Вт, сопротивление канала — от 2,1 до 10 Ом. Компонент выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Артикул | BSS84 |
| Корпус | SOT-23 |
| Package sot23 | SOT-23 |
| Package sot323 | SOT-323 |
| Сопротивление затвора | 324Ω |
| Dimensions sot23 | 2.70-3.10mm x 1.10-1.50mm x 0.90-1.10mm |
| Dimensions sot323 | 2.00-2.20mm x 1.15-1.35mm x 0.90-1.10mm |
| Вх. емкость | 56pF |
| Количество в упаковке | 3000 pcs / Tape & Reel |
| Время нарастания | 5ns |
| Marking code sot23 | SP |
| Выходная емкость | 17pF |
| Время спада | 15ns |
| Время задержки включения | 6ns |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Marking code sot323 | K84 |
| Время задержки выключения | 25ns |
| Напряжение сток-исток | -50V |
| Импульсный ток стока | -520mA |
| Напр. диода | -1.15 to -1.4V |
| Пороговое напряжение затвора | -0.8 to -2V |
| Power dissipation sot23 | 0.36W |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | -130mA |
| Power dissipation sot323 | 0.20W |
| Ток утечки затвор-подложка | ±10μA |
| Диап. темп. хр. | -55 ~ +150°C |
| Обратная проходная емкость | 5pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | -50V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1μA |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 2.1 to 10Ω |
| Диапазон темп. перехода | -55 ~ +150°C |
| Maximum body diode continuous current | -0.3A |
| Thermal resistance junction to air sot23 | 347°C/W |
| Thermal resistance junction to air sot323 | 625°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?