Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.3Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Nexperia. Работает при напряжении до 50 В и токе до 130 мА, мощность рассеивания — 0,3 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Мощность, Вт | 25 |
| Ток, А | -0,13 |
| Маркировка | SP |
| Корпус | SOT-23 |
| Напряжение, В | -0,8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ordering | BSS84, 7" reel, 8mm tape, 3000 quantity |
| Полярность | P-канал |
| Размеры | SOT-23 package; tape width 8mm; reel size 7" |
| Сопротивление | R dson: 10Ω max at V_GS=-5V, I_D=-0.10A; Тип. Rds(on): 1.2Ω at V_GS=-5V, I_D=-0.10A; R dson at 125c: 17Ω max (typ 1.9Ω) at V_GS=-5V, I_D=-0.10A; Сопротивление затвора: 9Ω at V_GS=-15mV, f=1MHz |
| Ёмкость | Conditions: V_DS=-25V, V_GS=0V, f=1MHz; Входная ёмкость Ciss: 73pF; Выходная ёмкость Coss: 10pF; Обратная проходная ёмкость (Crss): 5pF |
| Описание | P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor |
| Заряд затвора | Conditions: V_DS=-25V, I_D=-0.10A, V_GS=-5V; Заряд сток-затвор: 0.3nC; Полный заряд затвора: 1.3nC max (typ 0.9nC); Заряд затвор-исток: 0.2nC |
| Артикул | BSS84,215 |
| Тестовая частота | 1MHz |
| Ток утечки | Ток утечки затвор-подложка: ±10nA at V_GS=±20V; Ток стока при нулевом напряжении затвора: -15μA at V_DS=-50V; -60μA at T_J=125°C |
| Режим обогащения | Да |
| Крутизна | 0.6S max (min 0.05S) at V_DS=-25V, I_D=-0.10A |
| Темп. диапазон | -55°C to +150°C |
| Характеристики диода | Прямое напряжение: -1.2V max (typ -0.8V) at I_S=-0.26A; Время обратного восстановления: 10ns; Заряд обратного восстановления: 3nC |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Характеристики переключения | Conditions: V_DD=-30V, I_D=-0.27A, V_GS=-10V, R_GEN=6Ω; Время нарастания: 13ns max (typ 6.3ns); Время спада: 9.6ns max (typ 4.8ns); Время задержки включения: 5ns max (typ 2.5ns); Время задержки выключения: 20ns max (typ 10ns) |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
| Термосопротивление переход-среда | 350°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?