Транзисторы и сборки MOSFET BSS84.215
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
83 шт.
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт9,18 ₽
Сумма504,90 ₽
В наличии83 шт
от 55 штюрлицам и ИП
55 шт · Склад 39 · 504,90 ₽
Описание
BSS84.215 от Nexperia — полевой MOSFET p-канального типа для поверхностного монтажа. Компонент применяется в схемах коммутации малых нагрузок, в цепях защиты и инверторах логических уровней. Рассчитан на работу в маломощных устройствах с логическим управлением затвором.
Технические характеристики
| Тип FET | P-канал |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Описание | MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB |
| Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id | 2V @ 1mA |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs | 10Ohm @ 130mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (Макс.) | 250mW (Tc) |
| Корпус по производителю | TO-236AB |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds | 45 pF @ 25 V |
| Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.) | 10V |
| Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C | 130mA (Ta) |
| Ёмкость, мкФ | 4,5 |
| Мощность, Вт | 0,25 |
| Напряжение, В | 50 |
| Ток, А | 0,13 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?