Документация
Силовой транзистор BSS83PH6327XTSA1
У поставщика
У поставщиков
33 571 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:24 671 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 66 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,57 |
| от 543 | 9,44 |
| от 1 085 | 8,68 |
| от 2 169 | 8,03 |
| от 6 000 | 7,61 |
Склад 12
В наличии:8 900 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 3600 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,35 |
| от 100 | 8,41 |
| от 1 000 | 7,23 |
Описание
Силовой биполярный транзистор от Infineon. Работает при напряжении до 60 В и токе до 1 А. Выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа. Подходит для цепей управления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | биполярные |
| Маркировка | H6 |
| Корпус | PG-SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 61ns typ, 76ns max |
| Время нарастания | 71ns typ, 106ns max |
| Технология | SIPMOS P-Channel |
| Dv dt rated | Да |
| Logic level | Да |
| Без галогенов | Да |
| Avalanche rated | Да |
| Transconductance | 0.24S min, 0.47S typ |
| Заряд сток-затвор | 1.1nC typ, 1.65nC max |
| Gate total charge | 2.38nC typ, 3.57nC max |
| Вх. емкость | 62pF typ, 78pF max |
| Рассеиваемая мощность | 0.36W |
| AEC-Q101 | Да |
| Заряд затвор-исток | 0.12nC typ, 0.18nC max |
| Выходная емкость | 19pF typ, 24pF max |
| Время задержки включения | 23ns typ, 35ns max |
| Reverse diode dv dt | 6kV/µs |
| Время задержки выключения | 56ns typ, 70ns max |
| Gate plateau voltage | -2.94V typ |
| Импульсный ток стока | -1.32A |
| Время обратного восстановления | 59.4ns typ, 89ns max |
| Gate threshold voltage | -1V to -2V (typ -1.5V) |
| Напряжение затвор-исток макс. | -20V |
| Заряд обратного восстановления | 37.5nC typ, 56nC max |
| Макс. напряжение сток-исток | -60V |
| Avalanche energy periodic | 0.036mJ |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Gate source leakage current | -10nA typ, -100nA max |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Длительный ток стока 25°C | -0.33A |
| Continuous drain current 70c | -0.27A |
| Обратная проходная емкость | 7pF typ, 9pF max |
| Avalanche energy single pulse | 9.5mJ |
| Reverse diode forward voltage | -0.84V typ, -1.1V max |
| Напряжение пробоя сток-исток | -60V min |
| Drain source on resistance vgs 10v | 1.4Ω typ, 2Ω max |
| Drain source on resistance vgs 4 5v | 2Ω typ, 3Ω max |
| Zero gate voltage drain current 25c | -0.1µA typ, -1µA max |
| Reverse diode pulsed forward current | -1.32A |
| Zero gate voltage drain current 125c | -10µA typ, -100µA max |
| Reverse diode continuous forward current | -0.33A |
| Thermal resistance junction ambient 6cm2 | 300 K/W |
| Thermal resistance junction soldering point | 150 K/W |
| Thermal resistance junction ambient min footprint | 350 K/W |