Документация
Силовой транзистор BSS83PH6327XTSA1
У поставщика
У поставщиков
22 564 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт10,25 ₽
Сумма1 025,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии13 864 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 550 — 9,15 ₽ (−11%)
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии8 700 шт
от 3 800 штюрлицам и ИП
продаётся от 3 800 штпри 3 800 — 7,43 ₽
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 025,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 275,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 025,00 ₽
Описание
Силовой биполярный транзистор от Infineon. Работает при напряжении до 60 В и токе до 1 А. Выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа. Подходит для цепей управления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | биполярные |
| Вывод 1 | G |
| Вывод 2 | S |
| Вывод 3 | D |
| Маркировка | H6 |
| Корпус | PG-SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 61ns typ, 76ns max |
| Время нарастания | 71ns typ, 106ns max |
| Технология | SIPMOS P-Channel |
| Описание | P-Channel SIPMOS Small-Signal-Transistor |
| Номинальное dv/dt | Да |
| Логический уровень | Да |
| Артикул | BSS83PH6327XTSA1 |
| Тип канала | P-канал |
| Без галогенов | Да |
| Лента и катушка | 3000pcs/reel |
| Лавинный режим | Да |
| Режим обогащения | Да |
| Время спада, макс. | 76ns |
| Fall time tf typ | 61ns |
| Rise time tr max | 106ns |
| Rise time tr typ | 71ns |
| Крутизна | 0.24S min, 0.47S typ |
| Заряд сток-затвор | 1.1nC typ, 1.65nC max |
| Общий заряд затвора | 2.38nC typ, 3.57nC max |
| Вх. емкость | 62pF typ, 78pF max |
| Рассеиваемая мощность | 0.36W |
| AEC-Q101 | Да |
| Заряд затвор-исток | 0.12nC typ, 0.18nC max |
| Выходная емкость | 19pF typ, 24pF max |
| Qualified aec q101 | Да |
| Время задержки включения | 23ns typ, 35ns max |
| dV/dt обратного диода | 6kV/µs |
| Время задержки выключения | 56ns typ, 70ns max |
| Напряжение плато затвора | -2.94V typ |
| Импульсный ток стока | -1.32A |
| Климатическая категория IEC | 55/150/56 |
| Время обратного восстановления | 59.4ns typ, 89ns max |
| Пороговое напряжение затвора | -1V to -2V (typ -1.5V) |
| Напряжение затвор-исток макс. | -20V |
| Напряжение затвор-исток, В | -20V |
| Заряд обратного восстановления | 37.5nC typ, 56nC max |
| Макс. напряжение сток-исток | -60V |
| Напряжение сток-исток, В | -60V |
| Макс. общий заряд затвора Qg | 3.57nC |
| Тип. общий заряд затвора Qg | 2.38nC |
| Transconductance gfs min | 0.24S |
| Transconductance gfs typ | 0.47S |
| Avalanche energy periodic | 0.036mJ |
| Esd class jesd22 a114 hbm | Class 0 |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Input capacitance ciss max | 78pF |
| Входная ёмкость Ciss, тип. | 62pF |
| Ток утечки затвор-исток | -10nA typ, -100nA max |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Output capacitance coss max | 24pF |
| Тип. выходная ёмкость Coss | 19pF |
| Длительный ток стока 25°C | -0.33A |
| Непрерывный ток стока, 70 °C | -0.27A |
| Gate to drain charge qgd max | 1.65nC |
| Gate to drain charge qgd typ | 1.1nC |
| Pulsed drain current id puls | -1.32A |
| Обратная проходная емкость | 7pF typ, 9pF max |
| Turn on delay time td on max | 35ns |
| Turn on delay time td on typ | 23ns |
| Avalanche energy periodic ear | 0.036mJ |
| Энергия лавины, одиночный импульс | 9.5mJ |
| Gate to source charge qgs max | 0.18nC |
| Gate to source charge qgs typ | 0.12nC |
| Power dissipation ptot ta 25c | 0.36W |
| Прямое напряжение обратного диода | -0.84V typ, -1.1V max |
| Время обратного восстановления trr, макс. | 89ns |
| Тип. время обратного восстановления (trr) | 59.4ns |
| Напряжение пробоя сток-исток | -60V min |
| Время задержки выключения, макс. | 70ns |
| Turn off delay time td off typ | 56ns |
| Заряд обратного восстановления Qrr, макс. | 56nC |
| Заряд обратного восстановления Qrr, тип. | 37.5nC |
| Энергия лавины одиночного импульса EAS | 9.5mJ |
| Gate plateau voltage vplateau typ | -2.94V |
| Пороговое напряжение Vgs(th), макс. | -2V |
| Пороговое напряжение затвора, В | -1V |
| Тип. пороговое напряжение затвора Vgs(th) | -1.5V |
| Continuous drain current id ta 25c | -0.33A |
| Continuous drain current id ta 70c | -0.27A |
| Сопротивление сток-исток открытого, Vgs 10 В | 1.4Ω typ, 2Ω max |
| Сопротивление сток-исток при Vgs 4,5 В | 2Ω typ, 3Ω max |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора, 25 °C | -0.1µA typ, -1µA max |
| Макс. ток утечки затвор-исток IGSS | -100nA |
| Gate source leakage current igss typ | -10nA |
| Импульсный прямой ток обратного диода | -1.32A |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | -10µA typ, -100µA max |
| Макс. прямое напряжение обратного диода, В | -1.1V |
| Inverse diode forward voltage vsd typ | -0.84V |
| Reverse transfer capacitance crss max | 9pF |
| Обратная проходная ёмкость Crss, тип. | 7pF |
| Inverse diode pulsed current ism ta 25c | -1.32A |
| Постоянный прямой ток обратного диода | -0.33A |
| Тепловое сопротивление переход-среда, 6 см² | 300 K/W |
| Operating and storage temperature tj tstg | -55...+150°C |
| Drain source breakdown voltage vbr dss min | -60V |
| Тепловое сопротивление переход-точка пайки | 150 K/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, мин. площадка | 350 K/W |
| Тепловое сопротивление переход-точка пайки | 150K/W |
| Inverse diode continuous forward current is ta 25c | -0.33A |
| Drain source on state resistance rds on vgs 10v max | 2Ω |
| Drain source on state resistance rds on vgs 10v typ | 1.4Ω |
| Drain source on state resistance rds on vgs 4 5v max | 3Ω |
| Drain source on state resistance rds on vgs 4 5v typ | 2Ω |
| Thermal resistance junction ambient rthja min footprint | 350K/W |
| Zero gate voltage drain current idss vds 60v tj 25c max | -1µA |
| Zero gate voltage drain current idss vds 60v tj 25c typ | -0.1µA |
| Zero gate voltage drain current idss vds 60v tj 125c max | -100µA |
| Zero gate voltage drain current idss vds 60v tj 125c typ | -10µA |
| Thermal resistance junction ambient rthja 6cm2 cooling area | 300K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?