Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.19А 1Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 240 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт47,94 ₽
Сумма958,80 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 240 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 20 штюрлицам и ИП
от 72 — 44,39 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 958,80 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 341,20 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
20 шт · Склад 13 · 958,80 ₽
Описание
Полевой P-канальный MOSFET-транзистор от Infineon рассчитан на напряжение 250 В и ток до 0,19 А при мощности 1 Вт. Выполнен в компактном корпусе PG-SOT89. Подходит для применения в автомобильной электронике.
Технические характеристики
| Режим | Enhancement mode |
| Маркировка | KC |
| Корпус | PG-SOT89 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Класс ESD | Class 1a |
| Описание | SIPMOS Small-Signal-Transistor |
| Номинальное dv/dt | Да |
| Логический уровень | Да |
| Артикул | BSS192P |
| Тип канала | P-канал |
| Стандарт ESD | JESD22-A114-HBM |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Infineon |
| Макс. время спада | 75ns |
| Тип. время спада | 50ns |
| Макс. время нарастания | 8ns |
| Тип. время нарастания | 5.2ns |
| Лента и катушка | H6327: 1000 pcs/reel |
| AEC-Q101 | Да |
| Макс. Rds(on) при Vgs 10 В | 12Ω |
| Rds(on) при Vgs 10 В, тип. | 7.7Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Rds on vgs 2 8v max | 20Ω |
| Rds on vgs 2 8v typ | 10Ω |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 15Ω |
| Тип. RDS(on) при VGS 4,5 В | 8.3Ω |
| dV/dt обратного диода | 6kV/µs |
| Напряжение сток-исток | -250V |
| Импульсный ток стока | -0.76A |
| Крутизна, мин. | 0.19S |
| Тип. крутизна | 0.38S |
| Общий заряд затвора, макс. | -6.1nC |
| Общий заряд затвора, тип. | -4.9nC |
| Климатическая категория IEC | 55/150/56 |
| Входная емкость макс. | 104pF |
| Тип. входная емкость | 83pF |
| Макс. выходная емкость | 16pF |
| Выходная емкость тип. | 13pF |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1W |
| Время вкл. макс. | 7ns |
| Время задержки вкл. тип. | 4.7ns |
| Макс. время выключения | 108ns |
| Время задержки выкл. тип. | 72ns |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение плато затвора, тип. | -2.63V |
| Макс. заряд затвор-сток | -2.4nC |
| Тип. заряд затвор-сток | -1.9nC |
| Заряд затвор-исток, макс. | -0.25nC |
| Тип. заряд затвор-исток | -0.2nC |
| Макс. время обрат. восстановления | 57ns |
| Тип. время восст. | 46ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.5V |
| Макс. заряд обратного восстановления | 90nC |
| Тип. заряд восст. | 72nC |
| Inverse diode pulsed current | -0.76A |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive |
| Непрерывный ток стока, Ta 25 °C | -0.19A |
| Непрерывный ток стока, Ta 70 °C | -0.1A |
| Рабочая и температура хранения | -55... +150°C |
| Напряжение пробоя сток-исток | -250V |
| Макс. ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Gate source leakage current typ | -10nA |
| Макс. проходная ёмкость | 8pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 6pF |
| Inverse diode forward voltage max | -1.1V |
| Inverse diode forward voltage typ | -0.78V |
| Макс. ток стока при нулевом напряжении затвора, 25 °C | -0.2µA |
| Zero gate voltage drain current 25c typ | -0.1µA |
| Inverse diode continuous forward current | -0.19A |
| Zero gate voltage drain current 150c max | -100µA |
| Zero gate voltage drain current 150c typ | -10µA |
| Thermal resistance junction ambient leaded | 125K/W |
| Тепловое сопротивление переход-точка пайки | 10K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?