Документация
BSS138W-7-F, транзистор, SOT-323
У поставщика
ПроизводительDIODES Inc.
У поставщиков
1 700 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 700 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 52 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,35 |
| от 100 | 7,39 |
| от 1 000 | 6,31 |
Описание
Транзистор BSS138W-7-F от DIODES Inc. — это N-канальный MOSFET с улучшенными характеристиками. Компонент рассчитан на рассеиваемую мощность до 200 мВт, выполнен в компактном корпусе SOT-323 для поверхностного монтажа. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Вес | 0.006 grams |
| Корпус | SOT323 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | 3000/Tape & Reel |
| Клеммы | Matte Tin Finish over Alloy 42 Leadframe |
| Размеры | Размах выводов: 1.20mm to 1.40mm; Width max: 2.20mm; Width min: 2.00mm; Ширина корпуса: 1.15mm to 1.35mm; Макс. высота: 1.00mm; Height min: 0.90mm; Макс. длина: 2.20mm; Мин. длина: 1.80mm |
| Артикул | BSS138W-7-F |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | K38 |
| Корпус | SOT-323 |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Соотв. RoHS | Да |
| Date code format | Y M or Y M |
| Описание | MOSFETs 50V 200mW |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| AEC-Q101 | Да |
| Структура | N-канал |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Gate body leakage max | ±100nA |
| Входная емкость макс. | 50pF |
| Drain gate voltage max | 50V |
| Макс. выходная емкость | 25pF |
| Время вкл. макс. | 20ns |
| Макс. время выключения | 20ns |
| Drain current continuous | 200mA |
| Макс. напряжение сток-исток | 50V |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.2V |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Forward transconductance min | 100mS |
| Body diode forward voltage max | 1.2V |
| Body diode forward voltage typ | 0.8V |
| Gate source voltage continuous | ±20V |
| Reverse transfer capacitance max | 8pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 50V |
| Drain source breakdown voltage typ | 75V |
| Zero gate voltage drain current max | 0.5µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 3.5Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 1.4Ω |
| Термосопротивление переход-среда | 625°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?