Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.2Вт
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 398 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт4,85 ₽
Сумма970,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии6 398 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 608 — 4,15 ₽ (−14%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 970,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 330,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 970,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от DIODES. Выдерживает напряжение до 50 В и ток до 200 мА при мощности 0,2 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-323. Подходит для коммутации нагрузок и управления сигналами в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Вес | 0.006g |
| Корпус | SOT323 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | 3000/Tape & Reel |
| Размеры | E: 0.650mm BSC; D max: 2.20mm; D min: 1.80mm; D typ: 2.15mm; E max: 2.20mm; E min: 2.00mm; E typ: 2.10mm; F max: 0.475mm; F min: 0.375mm; F typ: 0.425mm; L max: 0.40mm; L min: 0.25mm; L typ: 0.30mm; A max: 8°; A min: 0°; B max: 0.40mm; B min: 0.25mm; B typ: 0.30mm; C max: 0.18mm; C min: 0.10mm; C typ: 0.11mm; A1 max: 0.10mm; A1 min: 0.00mm; A1 typ: 0.05mm; A2 max: 1.00mm; A2 min: 0.90mm; A2 typ: 0.95mm; E1 max: 1.35mm; E1 min: 1.15mm; E1 typ: 1.30mm; E1 max: 1.40mm; E1 min: 1.20mm; E1 typ: 1.30mm |
| Артикул | BSS138W-7-F |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | K38 |
| Без сурьмы | Да |
| Тип компонента | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Соотв. RoHS | Да |
| AEC-Q101 | Да |
| Напряжение сток-затвор | 50V |
| Класс горючести | 94V-0 |
| Напряжение затвор-исток | 20V |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Напряжение сток-исток | 50V |
| Рекомендуемая посадочная площадка | C: 0.650mm; G: 1.300mm; X: 0.470mm; Y: 0.600mm; Y1: 2.500mm |
| Gate body leakage max | 100nA |
| Входная емкость макс. | 50pF |
| Макс. выходная емкость | 25pF |
| Время вкл. макс. | 20ns |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Макс. время выключения | 20ns |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | 200mA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.2V |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Мин. прямая крутизна | 100mS |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Макс. проходная ёмкость | 8.0pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 50V |
| Drain source breakdown voltage typ | 75V |
| Макс. ток стока при нулевом напряжении затвора | 0.5µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 3.5Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 1.4Ω |
| Термосопротивление переход-среда | 625°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?