Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 360мА, 1.14Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
30 917 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт7,29 ₽
Сумма729,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии30 917 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 695 — 6,44 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 729,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 571,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 729,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от NEXPERIA. Выдерживает напряжение до 60 В, ток до 360 мА и мощность 1,14 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BSS138P,215 |
| Время спада | 4ns typ |
| Время нарастания | 3ns typ |
| Технология | TrenchMOSFET |
| Описание | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) |
| Код маркировки | AN* |
| Макс. ток стока | 360mA |
| Заряд сток-затвор | 0.24nC typ |
| Вх. емкость | 38pF typ, 50pF max |
| Полный заряд затвора | 0.72nC typ, 0.8nC max |
| AEC-Q101 | Да |
| Заряд затвор-исток | 0.14nC typ |
| Выходная емкость | 7pF typ |
| Peak drain current | 1.2A |
| Source current max | 360mA |
| Время задержки включения | 2ns typ, 6ns max |
| Время задержки выключения | 9ns typ, 20ns max |
| Ток утечки затвора | 100nA max |
| Source drain voltage | 0.47V typ, 0.75V max, 1.1V max |
| Мощн. рас. 25°C | 350mW |
| Power dissipation tsp | 1140mW |
| Drain current max 100c | 230mA |
| Logic level compatible | Да |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Прямая крутизна | 700mS typ |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диапазон темп. окр. | -55°C to +150°C |
| Ток утечки стока, 25 °C | 1μA max |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Ток утечки стока, 150 °C | 10μA max |
| Power dissipation 25c 1cm2 | 420mW |
| Обратная проходная емкость | 4pF typ |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB |
| Пороговое напряжение затвор-исток | 0.9V min, 1.2V typ, 1.5V max |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Drain source on resistance vgs5v | 1Ω typ, 2Ω max |
| Сопротивление открытого сток-исток, Vgs 10 В | 0.9Ω typ, 1.6Ω max |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 310K/W typ, 370K/W max |
| Thermal resistance junction ambient 1cm2 | 260K/W typ, 300K/W max |
| Тепловое сопротивление переход-точка пайки | 115K/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?