Документация
Транзистор BSS138LT1G
У поставщика
У поставщиков
24 500 шт.
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:24 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 250 | 3,73 |
Описание
Транзистор BSS138LT1G от ON Semiconductor — это N-канальный Power MOSFET в миниатюрном корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 50 В и непрерывный ток до 200 мА, отличается низким пороговым напряжением (0,85–1,5 В). Применяется в DC-DC преобразователях, управлении питанием портативных и батарейных устройств, а также в компьютерах, принтерах и сотовых телефонах.
Технические характеристики
| Маркировка | J1 |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | 50V |
| Особенности | [ "Low threshold voltage (0.85V-1.5V)", "Pb-Free, Halogen Free, RoHS Compliant", "AEC-Q101 qualified and PPAP capable for BVSS variant" ] |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-Channel |
| Код корпуса | 318-08 |
| Ток стока импульсный | 800mA |
| Шаг выводов | 1.78mm to 2.04mm |
| Длина вывода | 0.30mm to 0.55mm |
| Применение | [ "DC-DC converters", "Power management in portable and battery-powered products", "Computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones" ] |
| Id непрерывный | 200mA |
| Ширина корпуса | 1.20mm to 1.40mm |
| Тип компонента | Power MOSFET |
| Высота корпуса | 0.89mm to 1.11mm |
| Длина корпуса | 2.80mm to 3.04mm |
| Рассеиваемая мощность | 225mW |
| Rds on max vgs 5v | 3.5Ω |
| Макс. пороговое Vgs | 1.5V |
| Мин. пороговое Vgs | 0.85V |
| Vgs max continuous | ±20V |
| Rds on max vgs 2 75v | 10Ω |
| Входная емкость макс. | 50pF |
| Тип. входная емкость | 40pF |
| Макс. выходная емкость | 25pF |
| Выходная емкость тип. | 12pF |
| Время вкл. макс. | 20ns |
| Макс. время выключения | 20ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Reverse transfer capacitance max | 5pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 3.5pF |
| Термосопротивление переход-среда | 556°C/W |