Документация
BSS138, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 50В, 340мА, 350мВт [SOT-23] = BSS138LT1G
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
72 000 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:72 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 100 | 0,98 |
| от 1 000 | 0,92 |
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Pd макс. | 350mW |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | 50V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench Power MV MOSFET |
| Vgs порог макс. | 1.6V |
| Vgs порог мин. | 0.8V |
| Vgs(th) тип. | 1.2V |
| Артикул | BSS138 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Id max pulsed | 1.5A |
| Rds on vgs 10v | 2.5Ω max |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on vgs 4 5v | 3.0Ω max |
| Id max continuous | 340mA |
| Вх. емкость | 17.5pF |
| Полный заряд затвора | 2.4nC max |
| Выходная емкость | 11.5pF |
| Время задержки включения | 5ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 17ns |
| Напр. диода | 1.2V |
| Время обратного восстановления | 30ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 6.5pF |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |