Документация
Транзистор BSS138
У поставщика
У поставщиков
4 414 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,90 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:61 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,90 |
Склад 13
В наличии:4 353 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 290 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,39 |
| от 1 206 | 1,94 |
| от 3 000 | 1,59 |
| от 6 000 | 1,35 |
| от 12 000 | 1,20 |
Описание
Транзистор BSS138 от Yangjie — это полевой MOSFET для поверхностного монтажа. Выполнен в корпусе SOT-23, работает в диапазоне температур от -55 до +150 °С. Подходит для коммутации сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (MOSFET) |
| Diode | Diode forward voltage vsd: 1.2V |
| Мощность, Вт | 25 |
| Вес | 0.03 |
| Ток, А | 0,34 |
| В упаковке | 3000 |
| Leakage | Gate body leakage vgs 10v: ±50nA; Gate body leakage vgs 20v: ±100nA; Zero gate voltage drain current: 1μA |
| Маркировка | F2 |
| Корпус | SOT-23 |
| Упаковка | 7" reel, 3000 pcs |
| Thermal | Диап. темп. хр.: -55°C to +150°C; Диапазон темп. перехода: -55°C to +150°C; Термосопротивление переход-среда: 357°C/W |
| Напряжение, В | 50 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BSS138 |
| Switching | Turn on rise time tr: 18.8ns; Turn off fall time tf: 47ns; Turn on delay time td on: 2.6ns; Reverse recovery time trr: 12.2ns; Switching test conditions: VGS=10V, VDD=25V, ID=300mA, RGEN=6Ω; Turn off delay time td off: 9.7ns; Reverse recovery charge qrr: 2.65nC |
| Рабочая температура | -55…+150 °С |
| Сопротивление | Rdson vgs 10v id 300ma: 1.1Ω typ / 2.5Ω max; Rdson vgs 4 5v id 200ma: 1.2Ω typ / 3.0Ω max |
| Технология | Trench Power MV MOSFET |
| Ёмкость | Input capacitance ciss: 28.5pF; Output capacitance coss: 2.7pF; Условия теста емкости: VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz; Reverse transfer capacitance crss: 1.78pF |
| Gate charge | Total gate charge qg: 1.7nC; Gate drain charge qgd: 0.24nC; Gate source charge qgs: 0.4nC |
| Соотв. RoHS | Да |
Заметили ошибку в описании или параметрах?