
Документация
Транзистор BSS138
У поставщика
У поставщиков
2 805 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,17 ₽
Сумма1 085,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 805 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 500 штюрлицам и ИП
от 1 206 — 1,77 ₽ (−18%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 085,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 215,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
500 шт · Склад 13 · 1 085,00 ₽
Описание
Транзистор BSS138 от Yangjie — это полевой MOSFET для поверхностного монтажа. Выполнен в корпусе SOT-23, работает в диапазоне температур от -55 до +150 °С. Подходит для коммутации сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (MOSFET) |
| Диод | Прямое напряжение диода, В: 1.2V |
| Мощность, Вт | 25 |
| Вес | 0.03 |
| Ток, А | 0,34 |
| В упаковке | 3000 |
| Утечка | Gate body leakage vgs 10v: ±50nA; Gate body leakage vgs 20v: ±100nA; Ток стока при нулевом напряжении затвора: 1μA |
| Маркировка | F2 |
| Корпус | SOT-23 |
| Упаковка | 7" reel, 3000 pcs |
| Тепловые параметры | Диап. темп. хр.: -55°C to +150°C; Диапазон темп. перехода: -55°C to +150°C; Термосопротивление переход-среда: 357°C/W |
| Напряжение, В | 50 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BSS138 |
| Переключение | Время нарастания при включении (tr): 18.8ns; Время спада при выключении (tf): 47ns; Задержка включения (td on): 2.6ns; Время обратного восстановления: 12.2ns; Условия испытаний переключения: VGS=10V, VDD=25V, ID=300mA, RGEN=6Ω; Задержка выключения: 9.7ns; Заряд обратного восстановления, Qrr: 2.65nC |
| Рабочая температура | -55…+150 °С |
| Сопротивление | Rdson vgs 10v id 300ma: 1.1Ω typ / 2.5Ω max; Rdson vgs 4 5v id 200ma: 1.2Ω typ / 3.0Ω max |
| Технология | Trench Power MV MOSFET |
| Ёмкость | Входная ёмкость Ciss: 28.5pF; Выходная ёмкость Coss: 2.7pF; Условия теста емкости: VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz; Обратная проходная ёмкость (Crss): 1.78pF |
| Заряд затвора | Общий заряд затвора (Qg): 1.7nC; Заряд затвор-сток (Qgd): 0.24nC; Заряд затвор-исток (Qgs): 0.4nC |
| Соотв. RoHS | Да |
Заметили ошибку в описании или параметрах?