
Документация
Транзистор BSS138 SOT-23
У поставщика
У поставщиков
1 593 шт.
Норм. уп.: 100
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 1,90 |
| от 200 | 1,82 |
| от 400 | 1,77 |
| от 1 000 | 1,75 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:578 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 1,90 |
| от 200 | 1,82 |
| от 400 | 1,77 |
| от 1 000 | 1,75 |
Склад 12
В наличии:1 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,05 |
| от 100 | 1,05 |
Склад 14
В наличии:15 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 0,90 |
Описание
Транзистор BSS138 от HOTTECH — это N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Работает в широком диапазоне температур от -55 до +150 °С. Подходит для коммутации сигналов и управления нагрузкой в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Вес | 0.03 |
| В упаковке | 3000 |
| Монтаж | поверхностный (SMT) |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOT-23 |
| Размер катушки | 7" |
| Рабочая температура | -55…+150 °С |
| Ширина ленты | 8mm |
| Артикул | BSS138 |
| Device marking | SS |
| Gate resistance | 9Ω |
| Снижение выше 25°C | 2.8 mW/°C |
| Gate body leakage | ±100 nA |
| Заряд сток-затвор | 0.4nC |
| Вх. емкость | 27pF |
| Кол-во на катушке | 3000 |
| Заряд затвор-исток | 0.1nC |
| Выходная емкость | 13pF |
| Drain current pulsed | 0.88A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.36W |
| Заряд затвора макс. | 2.4nC |
| Тип. заряд затвора | 1.7nC |
| Turn on rise time max | 18ns |
| Turn on rise time typ | 9ns |
| On state drain current | 0.2A |
| Turn off fall time max | 14ns |
| Turn off fall time typ | 7ns |
| Время вкл. макс. | 5ns |
| Время задержки вкл. тип. | 2.5ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. время выключения | 36ns |
| Время задержки выкл. тип. | 20ns |
| Continuous diode current | 0.22A |
| Drain current continuous | 0.22A |
| Макс. напряжение сток-исток | 50V |
| Прямая крутизна | 0.12S |
| Напр. диода макс. | 1.4V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.8V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.6V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.8V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.3V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Обратная проходная емкость | 6pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | 50V |
| Zero gate voltage drain current | 0.5 µA at 50V, 100 nA at 30V |
| Drain source on resistance vgs 10v | 3.5Ω |
| Drain source on resistance vgs 4.5v | 6.0Ω |
| Термосопротивление переход-среда | 350°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 72 mV/°C |
| Gate threshold voltage temperature coefficient | -2 mV/°C |