+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BSS138-7-F
Документация

Транзистор полевой BSS138-7-F SOT-23

Артикул:108896
У поставщика
ПроизводительDIODES Inc.
Ед. изм.шт
У поставщиков
110 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:110 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 111,39
от 1006,36
от 1 0003,67
Описание

Полевой транзистор (MOSFET) BSS138-7-F от DIODES Inc. в компактном корпусе SOT-23. Это N-канальный прибор с логическим уровнем управления, предназначенный для коммутации и усиления сигналов в низковольтных цепях. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, что делает его востребованным в портативной и встраиваемой электронике.

Технические характеристики
ТипN-Channel Enhancement Mode MOSFET
Вес0.008 grams
КорпусSOT23
Тип монтажаSMD
Без свинцаДа
КлеммыMatte Tin Finish over Alloy 42
Без галогеновДа
Без сурьмыДа
Материал корпусаMolded Plastic, UL 94V-0
Соотв. RoHSДа
ОписаниеMOSFETs 300mW 50V DSS
Package pitch typ2.05mm
Рассеиваемая мощность300mW
Drain gate voltage50V
Package height typ0.4mm
Drain current pulsed1A
Напряжение сток-исток50V
Gate body leakage max±100nA
Входная емкость макс.50pF
Макс. выходная емкость25pF
Package body width typ2.9mm
Время вкл. макс.20ns
Package body length typ2.4mm
Макс. время выключения20ns
Drain current continuous200mA
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Пороговое напряжение затвора макс.1.5V
Пороговое напряжение затвора мин.0.5V
Тип. пороговое Uзи1.2V
Уровень чувствительности к влагеLevel 1
Диап. раб. темп.-55 to 150°C
Forward transconductance min100mS
Gate source voltage continuous±20V
Reverse transfer capacitance max8pF
Мин. напряжение сток-исток пробоя50V
Drain source breakdown voltage typ75V
Gate source voltage non repetitive±40V
Zero gate voltage drain current max0.5µA
Макс. сопротивление сток-исток вкл.3.5Ω
Тип. сопротивление сток-исток1.4Ω
Термосопротивление переход-среда417°C/W
Мощность, Вт0,3
Напряжение, В50

Заметили ошибку в описании или параметрах?