Документация
ТРАНЗИСТОРЫ BSS131H6327XTSA1, транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 240 В, 0.1 А, 0.36 Вт, 16 Ом, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 198 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 190 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 74 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,40 |
| от 344 | 8,29 |
| от 687 | 7,39 |
| от 1 374 | 6,66 |
| от 3 000 | 6,19 |
Склад 12
В наличии:8 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 250 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 41,40 |
| от 25 | 40,05 |
| от 250 | 39,78 |
Описание
Транзистор полевой N-канальный от Infineon Technologies. Компонент выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23-3, что подходит для поверхностного монтажа. Предназначен для коммутации и усиления сигналов в цепях с напряжением до 240 В при токе до 0,1 А. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала и малой рассеиваемой мощностью.
Технические характеристики
| Тип | SIPMOS Small-Signal Transistor |
| Тип | MOSFET |
| Ток | 0.1 А |
| Channel | N-Channel |
| Gfs min | 0.06S |
| Gfs тип. | 0.13S |
| Корпус | PG-SOT-23 |
| Макс. Vds | 240V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | 0.4A |
| Vgs порог макс. | 1.8V |
| Vgs порог мин. | 0.8V |
| Vgs(th) тип. | 1.4V |
| Покрытие выводов | Pb-free |
| Артикул | BSS131H6327XTSA1 |
| Dv dt rating | 6kV/µs |
| Без галогенов | Да |
| Тип упаковки | SOT-23-3 |
| V br dss min | 240V |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Esd class hbm | Class 0 |
| Макс. время спада | 97ns |
| Тип. время спада | 64.5ns |
| Макс. время нарастания | 4.6ns |
| Тип. время нарастания | 3.1ns |
| Rds on max 10v | 14Ω |
| Rds on typ 10v | 7.7Ω |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on max 4 5v | 20Ω |
| Rds on typ 4 5v | 9.07Ω |
| Мощность | 0.36 Вт |
| Ток стока непрерывный 25C | 0.11A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 0.09A |
| AEC-Q101 | Да |
| Gate source leakage | 10nA |
| Напряжение | 240 В |
| Gate charge total max | 3.1nC |
| Gate charge total typ | 2.1nC |
| Gate drain charge max | 1.2nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 0.8nC |
| Iec climatic category | 55/150/56 |
| Входная емкость макс. | 77pF |
| Тип. входная емкость | 58pF |
| Мощн. рас. 25°C | 0.36W |
| Gate source charge max | 0.22nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.16nC |
| Макс. выходная емкость | 10pF |
| Выходная емкость тип. | 7.3pF |
| Время вкл. макс. | 5.0ns |
| Время задержки вкл. тип. | 3.3ns |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. время выключения | 20ns |
| Время задержки выкл. тип. | 13.7ns |
| Drain source leakage 25c | 0.01µA |
| Gate plateau voltage typ | 2.90V |
| Drain source leakage 150c | 5µA |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Макс. время обрат. восстановления | 64.3ns |
| Тип. время восст. | 42.9ns |
| Reverse recovery charge max | 34nC |
| Тип. заряд восст. | 22.6nC |
| Reverse transfer capacitance max | 4.2pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 2.8pF |
| Reverse diode forward voltage max | 1.2V |
| Reverse diode forward voltage typ | 0.81V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 350K/W |
| Reverse diode forward current pulsed | 0.43A |
| Reverse diode forward current continuous | 0.11A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?