Транзистор полевой BSS131
У поставщика
У поставщиков
3 140 шт.
Норм. уп.: 400
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,47 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:140 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 400
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,47 |
Склад 15
В наличии:3 000 шт
Срок поставки: до 33 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,08 |
Описание
Полевой транзистор BSS131 от HXY — N-канальный MOSFET с обогащённым каналом. Выдерживает напряжение до 240 В при непрерывном токе 0,1 А, имеет низкое сопротивление открытого канала (менее 14 Ом при 10 В). Выпускается в компактном SMD-корпусе SOT-23. Подходит для импульсных источников питания, цепей управления нагрузкой и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Маркировка | SR |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | 240V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | SOT-23: 2.8-3.0mm x 1.2-1.4mm body, 0.95mm pitch |
| Тип. время спада | 64.5ns |
| Id pulsed max | 0.4A |
| Ordering info | BSS131 SOT-23, 3000pcs/reel |
| Rds on at 10v | <14Ω (max), 7.7Ω (typ) @ VGS=10V, ID=0.1A |
| Тип. время нарастания | 3.1ns |
| Rds on at 4 5v | <20Ω (max), 9.07Ω (typ) @ VGS=4.5V, ID=0.09A |
| Id continuous max | 0.1A (TA=25°C), 0.09A (TA=100°C) |
| Gate charge total max | 3.1nC |
| Gate charge total typ | 2.1nC |
| Gate drain charge max | 1.2nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 0.8nC |
| Входная емкость макс. | 77pF |
| Тип. входная емкость | 58pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.36W |
| Gate source charge max | 0.22nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.16nC |
| Макс. выходная емкость | 10pF |
| Выходная емкость тип. | 7.3pF |
| Время задержки вкл. тип. | 3.3ns |
| Время задержки выкл. тип. | 13.7ns |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.81V |
| Макс. время обрат. восстановления | 64.3ns |
| Тип. время восст. | 42.9ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.8V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.8V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.4V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Reverse recovery charge max | 34nC |
| Тип. заряд восст. | 22.6nC |
| Reverse transfer capacitance max | 4.2pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 2.8pF |
| Термосопротивление переход-среда | 200°C/W (note 2), 350K/W (minimal footprint) |