Документация
BSS123LT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
12 000 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:12 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 11000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,14 |
| от 100 | 2,76 |
| от 1 000 | 2,38 |
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Маркировка | SA (device code), M (date code) |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Код корпуса | 318-08 |
| Размеры | Ширина: 1.20-1.40mm; Высота: 0.89-1.11mm; Длина: 2.80-3.04mm; Шаг выводов: 1.78-2.04mm; Ширина вывода: 0.37-0.50mm; Длина вывода: 0.30-0.55mm |
| Артикул | BSS123LT1G |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Ordering info | BSS123LT1G: 3000/tape & reel; BSS123LT3G: 10000/tape & reel; BVSS123LT1G: 3000/tape & reel (automotive) |
| Pin assignment | 1-Gate, 2-Source, 3-Drain |
| Соотв. RoHS | Да |
| Снижение выше 25°C | 1.8mW/°C |
| Вх. емкость | 20pF (typ) |
| Выходная емкость | 9pF (typ) |
| Время задержки включения | 20ns (typ) |
| Время задержки выключения | 40ns (typ) |
| Автомобильный | AEC-Q101 (BVSS prefix) |
| Drain current pulsed | 0.68A |
| Напр. диода | 1.3V (max) at ID=0.34A |
| Gate threshold voltage | 1.6V to 2.6V |
| Power dissipation total | 225mW |
| Drain current continuous | 0.17A |
| Макс. напряжение сток-исток | 100V |
| Прямая крутизна | 80mmhos (min) |
| Gate body leakage current | 50nA (max) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 4pF (typ) |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V (min) |
| Static drain source on resistance | 6Ω (max) at VGS=10V, ID=100mA |
| Gate source voltage continuous max | ±20V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Zero gate voltage drain current 25c | 15µA (max) |
| Zero gate voltage drain current 125c | 60µA (max) |
| Термосопротивление переход-среда | 556°C/W |
| Gate source voltage non repetitive peak | ±40V |