Документация
Транзистор BSS123LT1G
У поставщика
У поставщиков
41 857 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:41 857 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 106 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,53 |
| от 289 | 5,60 |
| от 578 | 4,83 |
| от 1 155 | 4,23 |
| от 3 000 | 3,84 |
Описание
Транзистор BSS123LT1G от ON Semiconductor — это N-канальный MOSFET с изолированным затвором, выполненный в компактном корпусе SOT-23. Компонент предназначен для коммутации нагрузок с низким напряжением и током, обеспечивая малое сопротивление открытого канала. Применяется в схемах управления питанием, DC-DC преобразователях и портативной электронике благодаря высокой скорости переключения и экономичности.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Шаг выводов | 1.78-2.04mm |
| Артикул | BSS123LT1G |
| Производитель | onsemi |
| Корпус | 318-08 |
| Pin assignment | Вывод 1: Gate; Вывод 2: Source; Вывод 3: Drain |
| Соотв. RoHS | Да |
| Derate above 25C | 1.8mW/°C |
| Вх. емкость | 20pF |
| Рассеиваемая мощность | 225mW |
| Выходная емкость | 9pF |
| Размеры упаковки | Ширина: 1.20-1.40mm; Высота: 0.89-1.11mm; Длина: 2.80-3.04mm |
| Время задержки включения | 20ns |
| Время задержки выключения | 40ns |
| Автомобильный | BVSS123LT1G variant |
| Drain current pulsed | 0.68A |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Diode forward on voltage | 1.3V |
| Drain current continuous | 0.17A |
| Прямая крутизна | 80mmhos |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.6V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.6V |
| Обратная проходная емкость | 4pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-канал 100В/0.17А/0.225 Вт/6.0 Ом |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Gate source voltage continuous | ±20V |
| Static drain source on resistance | 6Ω |
| Gate source voltage non repetitive | ±40Vpk |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 556°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?