+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BSS123LT1G
Документация

Транзистор BSS123LT1G

Артикул:102799
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
Ед. изм.шт
У поставщиков
42 731 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:42 731 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 102 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 16,79
от 2865,82
от 5725,01
от 1 1444,40
от 3 0004,00
Описание

Транзистор BSS123LT1G от ON Semiconductor — это N-канальный MOSFET с изолированным затвором, выполненный в компактном корпусе SOT-23. Компонент предназначен для коммутации нагрузок с низким напряжением и током, обеспечивая малое сопротивление открытого канала. Применяется в схемах управления питанием, DC-DC преобразователях и портативной электронике благодаря высокой скорости переключения и экономичности.

Технические характеристики
КорпусSOT-23
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Описание (англ.)MOSFET N-канал 100В/0.17А/0.225 Вт/6.0 Ом