+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BSS123
Документация

Транзистор полевой BSS123 / N-канал, SOT-23, 0.17А, 100В

Артикул:726685
У поставщика
ПроизводительJSCJ
У поставщиков
56 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:56 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 15,18
от 2003,06
от 2 0002,00
Описание

Транзистор полевой BSS123 производства JSCJ — это N-канальный MOSFET, выполненный в компактном корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на ток до 0,17 А и напряжение до 100 В, что делает его подходящим для низковольтных схем коммутации. Применяется в цепях управления нагрузкой, DC/DC-преобразователях и как ключ в портативной электронике.

Технические характеристики
ТипN-Channel MOSFET
МаркировкаB123
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
АртикулBSS123
КорпусSOT-23-3
Рассеиваемая мощность0.35W
Время нарастания8ns
Размеры упаковкиA max: 1.150mm; A min: 0.900mm; B max: 0.500mm; B min: 0.300mm; C max: 0.150mm; C min: 0.080mm; D max: 3.000mm; D min: 2.800mm; E max: 1.400mm; E min: 1.200mm; E typ: 0.950mm; L ref: 0.550mm; A1 max: 0.100mm; A1 min: 0.000mm; A2 max: 1.050mm; A2 min: 0.900mm; E1 max: 2.550mm; E1 min: 2.250mm; E1 typ: 1.800-2.000mm; L1 max: 0.500mm; L1 min: 0.300mm; Theta max: 8°; Theta min: 0°
Время спада16ns
Время задержки включения8ns
СтруктураN-канал
Время задержки выключения13ns
Импульсный ток стока0.68A (tp=10us)
Напр. диода1.3V at IS=340mA, VGS=0V
Gate drain charge max0.4nC
Тип. заряд затвор-сток0.2nC
Входная емкость макс.60pF
Тип. входная емкость29pF
Заряд затвора макс.2nC
Тип. заряд затвора1.4nC
Gate source charge max0.25nC
Тип. заряд затвор-исток0.15nC
Макс. выходная емкость15pF
Выходная емкость тип.10pF
Напряжение затвор-исток макс.±20V
Continuous drain current0.17A
Макс. напряжение сток-исток100V
Прямая крутизна80 mS
Gate body leakage current±50 nA at VGS=±20V, VDS=0V
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Пороговое напряжение затвора макс.2V
Пороговое напряжение затвора мин.1V
Тип. пороговое Uзи1.6V
Температура пайки выводов260°C for 10s
Напряжение пробоя сток-исток100V (min) at VGS=0V, ID=250µA
Zero gate voltage drain current1 µA at VDS=100V; 10 nA at VDS=20V
Reverse transfer capacitance max6pF
Обр. проходная емкость тип.2pF
Drain source on resistance 10V max
Drain source on resistance 10V typ3.5Ω
Drain source on resistance 4 5V max10Ω
Drain source on resistance 4 5V typ3.8Ω
Диапазон темп. перехода-55 to +150°C
Continuous source drain diode current0.17A
Термосопротивление переход-среда357 °C/W
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17