Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / Транзистор BSS123 / MMFTN123 HOTTECH, MMFTN123 SEMTECH, / SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
22 867 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,14 ₽
Сумма1 070,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии22 867 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 500 штюрлицам и ИП
от 800 — 1,71 ₽ (−20%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 070,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 230,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
500 шт · Склад 13 · 1 070,00 ₽
Описание
Транзистор BSS123 (также известный как MMFTN123) производства HOTTECH — это N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) с изолированным затвором. Компонент выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Предназначен для коммутации и усиления сигналов в низковольтных цепях, обеспечивая малое сопротивление канала в открытом состоянии. Широко применяется в портативной электронике, блоках питания и логических схемах.
Технические характеристики
| Вес | 0.008g |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 0.17 А |
| Маркировка | SA |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | VDS=100V, RDS(ON)=6Ω@VGS=10V, ID=0.17A, High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON), Voltage Controlled Small Signal Switch, For Small Servo Motor Controls, Power MOSFET Gate Drivers And Switching Applications, Surface Mount device |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BSS123 |
| Описание | HIGH VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL flammability classification rating 94V-0 |
| Лента и катушка | Размеры катушки: D: Ø178mm; G: R78mm; H: R25.60mm; I: R6.50mm; D1: 54.40mm; D2: 13.00mm; W1: 9.50mm; W2: 12.30mm; Carrier tape dimensions: A: 3.15mm; B: 2.77mm; C: 1.22mm; E: 1.75mm; F: 3.50mm; P: 4.00mm; Мощность: 8.00mm; D: Ø1.50mm; P0: 4.00mm; P1: 2.00mm |
| Мощность, Вт | 0,36 |
| Напряжение, В | 100 В |
| Динамические характеристики | Входная ёмкость Ciss: Max: 60pF; Typ: 29pF; Conditions: VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz; Выходная ёмкость Coss: Max: 15pF; Typ: 10pF; Conditions: VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz; Обратная проходная ёмкость (Crss): Max: 6pF; Typ: 2pF; Conditions: VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |
| Предельные значения | Рассеиваемая мощность Pd: 0.35W; Напряжение затвор-исток, В: ±20V; Темп. перехода Tj: 150°C; Напряжение сток-исток, В: 100V; Импульсный ток стока: 0.68A; Температура хранения: -55~+150°C; Длительный ток стока: 0.17A; Температура пайки выводов TL: 260°C; Continuous source drain diode current is: 0.17A; Тепловое сопротивление переход-среда: 357°C/W |
| Корпус SOT-23 | A: Max: 1.150mm; Min: 0.900mm; D: Max: 3.000mm; Min: 2.800mm; E: Max: 1.400mm; Min: 1.200mm; Индуктивность: 0.550мм справочно; B: Max: 0.500mm; Min: 0.300mm; C: Max: 0.150mm; Min: 0.080mm; E: 0.950mm TYP; A1: Max: 0.100mm; Min: 0.000mm; A2: Max: 1.050mm; Min: 0.900mm; E1: Max: 2.550mm; Min: 2.250mm; L1: Max: 0.500mm; Min: 0.300mm; E1: Max: 2.000mm; Min: 1.800mm; Theta: Max: 8°; Min: 0° |
| Характеристики переключения | Общий заряд затвора (Qg): Max: 2nC; Typ: 1.4nC; Conditions: VDS=10V, VGS=10V, ID=0.22A; Время нарастания при включении (tr): Typ: 8nS; Conditions: VDD=30V, VGS=10V, RGEN=50Ω, ID=0.28A; Заряд затвор-сток (Qgd): Max: 0.4nC; Typ: 0.2nC; Conditions: VDS=10V, VGS=10V, ID=0.22A; Время спада при выключении (tf): Typ: 16nS; Conditions: VDD=30V, VGS=10V, RGEN=50Ω, ID=0.28A; Заряд затвор-исток (Qgs): Max: 0.25nC; Typ: 0.15nC; Conditions: VDS=10V, VGS=10V, ID=0.22A; Задержка включения (td on): Typ: 8nS; Conditions: VDD=30V, VGS=10V, RGEN=50Ω, ID=0.28A; Задержка выключения: Typ: 13nS; Conditions: VDD=30V, VGS=10V, RGEN=50Ω, ID=0.28A |
| Электрические характеристики | Прямое напряжение диода, В: Max: 1.3V; Conditions: IS=0.34A, VGS=0V; Прямая крутизна (gfs): Min: 80mS; Conditions: VDS=10V, ID=0.17A; Gate threshold voltage vgsth: Max: 2.8V; Min: 1V; Typ: 1.6V; Conditions: VDS=VGS, ID=250μA; Ток утечки затвор-подложка (IGSS): Max: ±0.5uA; Conditions: VDS=0V, VGS=±20V; Ток стока при нулевом затворе IDSS: Max: 1uA; Conditions: VDS=100V, VGS=0V; Напряжение пробоя сток-исток, Vbrdss: Min: 100V; Conditions: VGS=0V, ID=250μA; Zero gate voltage drain current idss 2: Max: 10nA; Conditions: VDS=20V, VGS=0V; Drain source on resistance rds on vgs 10v: Max: 6Ω; Typ: 3.5Ω; Conditions: VGS=10V, ID=0.17A; Drain source on resistance rds on vgs 4 5v: Max: 10Ω; Typ: 3.8Ω; Conditions: VGS=4.5V, ID=0.17A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?