Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0,3Вт
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
10 411 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт4,42 ₽
Сумма884,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии10 411 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 455 — 3,68 ₽ (−17%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 884,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 416,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 884,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от производителя DIODES. Работает при напряжении до 100 В и токе до 170 мА, мощность рассеивания — 0,3 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Вес | 0.008 grams |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Клеммы | Matte Tin Finish Annealed over Alloy 42 Leadframe |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Артикул | BSS123-7-F |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Нет |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL Flammability Rating 94V-0 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Рассеиваемая мощность | 300mW |
| AEC-Q101 | Нет |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Входная емкость макс. | 60pF |
| Тип. входная емкость | 22pF |
| Макс. время нарастания при включении | 8ns |
| Макс. выходная емкость | 15pF |
| Выходная емкость тип. | 3.5pF |
| Макс. время спада при выключении | 16ns |
| Время вкл. макс. | 8ns |
| Макс. время выключения | 13ns |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | 170mA |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.8V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.4V |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Forward transfer admittance min | 80mS |
| Forward transfer admittance typ | 370mS |
| Макс. прямой ток утечки затвор-исток | 50nA |
| Макс. проходная ёмкость | 6pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 2.0pF |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 417°C/W |
| Макс. ток стока при нулевом напряжении затвора | 0.1μA |
| Drain source on resistance max at 10v | 6.0Ω |
| Drain source on resistance max at 4 5v | 10.0Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?