Документация
Транзистор полевой BSR92PH6327XTSA1
У поставщика
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 27,04 |
| от 20 | 26,29 |
| от 40 | 25,53 |
| от 80 | 24,96 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:200 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 27,04 |
| от 20 | 26,29 |
| от 40 | 25,53 |
| от 80 | 24,96 |
Описание
Полевой P-Channel MOSFET от Infineon в компактном корпусе PG-SC59 (SOT23) для поверхностного монтажа. Компонент рассчитан на рассеиваемую мощность до 0.5 Вт и отличается высокой скоростью переключения с временем нарастания от 6.3 нс. Подходит для применения в автомобильной электронике (квалификация AEC Q101) и промышленных схемах управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | PG-SC59 (SOT23 compatible) |
| Тип монтажа | SMD |
| Esd class | 1A (250V to 500V, HBM) |
| Время спада | 71.0ns typ, 163ns max |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 6.3ns typ, 9.0ns max |
| Артикул | BSR92PH6327XTSA1 |
| Без галогенов | Да |
| Квалификация | AEC Q101 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Transconductance | 0.1S min, 0.3S typ |
| Вх. емкость | 82pF typ, 109pF max |
| Рассеиваемая мощность | 0.5W at 25°C |
| Полный заряд затвора | -3.6nC typ, -4.8nC max |
| Выходная емкость | 12pF typ, 16pF max |
| Время задержки включения | 6.4ns typ, 9.0ns max |
| Diode pulse current | -0.56A |
| Время задержки выключения | 75.0ns typ, 112ns max |
| Gate plateau voltage | -2.7V typ |
| Gate to drain charge | -1.2nC typ, -1.8nC max |
| Импульсный ток стока | -0.56A |
| Напр. диода | -0.8V typ, -1.2V max |
| Gate to source charge | -0.2nC typ, -0.3nC max |
| Время обратного восстановления | 66ns typ |
| Gate threshold voltage | -1.5V typ, -2V min, -1V max |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 125nC typ |
| Continuous drain current | -0.14A at 25°C, -0.11A at 70°C |
| Макс. напряжение сток-исток | -250V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Gate source leakage current | -10nA typ, -100nA max |
| Диап. раб. темп. | -55 to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 5pF typ, 8pF max |
| Avalanche energy single pulse | 24mJ |
| Zero gate voltage drain current | -0.1µA typ, -1µA max at 25°C; -10µA typ, -100µA max at 150°C |
| Diode continuous forward current | -0.14A |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -250V |
| Drain source on resistance at vgs 10v | 8Ω typ, 11Ω max |
| Drain source on resistance at vgs 2 8v | 11Ω typ, 20Ω max |
| Drain source on resistance at vgs 4 5v | 9Ω typ, 13Ω max |
| Термосопротивление переход-среда | 250 K/W |
| Мощность, Вт | 0,5 |
| Тип транзистора | P-Channel MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?