Документация
BSR58,215
У поставщика
ПроизводительPHI
У поставщиков
59 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:59 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 33,12 |
| от 10 | 30,43 |
| от 100 | 28,73 |
Технические характеристики
| Тип | N-channel JFET |
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Особенности | Interchangeable drain and source connections, Small package |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BSR58,215 |
| Код маркировки | M6P |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Размеры мм | Добротность: 0.45; Lead span: 1.9; Ширина корпуса: 1.2 to 1.4; Шаг выводов: 0.95; Ширина вывода: 0.38 to 0.48; Высота корпуса: 0.9 to 1.1; Длина корпуса: 2.8 to 3.0; Длина вывода: 0.15 to 0.55; Lead thickness: 0.09 to 0.15 |
| Коэф. сниж. | linear to 0 at Tamb=200°C |
| Switching times | Макс. время нарастания: 10ns at ID=5mA, VGSM=4V; Delay time max: 10ns at ID=5mA, VGSM=4V; Макс. время выключения: 100ns at ID=5mA, VGSM=4V |
| Gate current max | 50mA |
| Структура | PNP |
| Drain current idss max | 80mA |
| Drain current idss min | 8mA |
| Drain gate voltage max | 40V |
| Напряжение затвор-исток макс. | -40V |
| Drain cutoff current max | 1nA at VDS=15V, VGS=-10V |
| Макс. напряжение сток-исток | ±40V |
| Feedback capacitance max | 5pF |
| Gate leakage current max | 1nA at VGS=-20V, VDS=0V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Drain source on voltage max | 400mV at ID=5mA, VGS=0V |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 250mW at Tamb=40°C |
| Макс. Rси вкл. | 60Ω |
| Gate source cutoff voltage max | 4V |
| Gate source cutoff voltage min | 0.8V |
| Gate source breakdown voltage min | 40V at IG=-1µA, VDS=0V |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 30 |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 430K/W |
| Коэф-т передачи тока hfe | 220 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |