Документация
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
21 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:21 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 56,96 |
| от 39 | 52,39 |
| от 78 | 48,66 |
| от 155 | 45,85 |
| от 309 | 43,76 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор Дарлингтона от NEXPERIA. Работает при напряжении до 80 В, токе до 1 А и рассеивает мощность 1,25 Вт. Выполнен в компактном корпусе SC-73 (SOT223) для поверхностного монтажа, сертифицирован по стандарту AEC-Q101. Подходит для автомобильной электроники и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | PNP Darlington transistor |
| Выводы | 4 |
| Маркировка | BSP62 |
| Корпус | SC-73 (SOT223) |
| Цоколевка | 1=base, 2=collector, 3=emitter, 4=collector |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 4 |
| Complement | BSP52 |
| Размеры | 6.5mm x 3.5mm x 1.65mm body; lead pitch 4.6mm |
| Код маркировки | BSP62 |
| Время включения | 400ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Время выключения | 1500ns |
| Коэф. усиления DC | 1000 min at V_CE=-10V, I_C=-150mA; 2000 min at V_CE=-10V, I_C=-500mA |
| Ток коллектора | -1A |
| Комплементарный NPN | BSP52 |
| Рассеиваемая мощность | 1.25W at T_amb<=25°C |
| AEC-Q101 | Да |
| Base current limit | -100mA |
| Напряжение эмиттер-база | -5V |
| Частота перехода | 200MHz |
| Turn on time typical | 400 ns |
| Макс. ток коллектора | -1A |
| Turn off time typical | 1500 ns |
| Напряжение коллектор-база | -90V |
| Peak collector current | -2A |
| Макс. темп. окр. среды | 150°C |
| Темп. окружающей среды мин. | -65°C |
| Package body dimensions | 6.5mm x 3.5mm x 1.65mm |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 1.25W |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -65°C |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to 150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -80V |
| Limiting base current max | -100mA |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -90V |
| Peak collector current max | -2A |
| Dc current gain min at 150mA | 1000 |
| Dc current gain min at 500mA | 2000 |
| Transition frequency typical | 200 MHz |
| Макс. напр. К-Э | -80V |
| Integrated diode and resistor | Да |
| Напр. нас. база-эмиттер | -1.9V at I_C=-500mA, I_B=-0.5mA |
| Макс. Uбэ нас. | -1.9V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -1.3V at I_C=-500mA, I_B=-0.5mA |
| Термосопротивление переход-среда | 98K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -1.3V |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 98 K/W |
| Тепловое сопротивление переход-пайка | 17K/W |
| Thermal resistance junction to solder point max | 17 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?